B650M小雕内存超频白皮书

现在都9950X3D two了，但B650M依然可以。前面曾用B650M小雕搭配7800X3D OC了一把内存，今天写一个简单的说明。

图示1，先开启expo[expo是amd的规范]。开启expo后，下面的两项是技嘉的黑科技，建议都开启，可以获得更好的内存性能。

图示2，将System Memory Multiplier[内存倍频]设定为60，这样就可以获取6000MT/s内存频率。

图示3，Infinity Fabric Frequency and Dividers（简称FCLK/IF总线频率与分频器）‌是AMD AM5平台影响内存性能的核心设置项。

当内存运行在6000MHz时，推荐将FCLK设置为2000MHz，此时可实现FCLK:UCLK:MCLK=1:1.5:1.5的同步最优状态，大幅降低内存延迟。

确认UCLK DIV1 MODE选项处于UCLK = MEMCLK状态，保证同步模式生效。

图示4，VCORE SOC 是内存控制器电压，建议不要超过1.3V。

图示5，就是传说中的VDD和VDDQ电压，简单说给内存的电压，一般而言，VDD比VDDQ要高0.05V。

但笔者发现，其实，俩数值设定为一样也是可以的，系统会自动微调。

图示5上下两个电压，笔者没有做调整。下面也做个简单说明：

CPU_VDDIO_MEM是AMD AM5平台为CPU内置内存控制器提供的专属供电电压，直接决定高频内存的运行稳定性。

AMD官方给出的日常使用安全上限为1.3V，部分主板可短时间拉到1.35V用于极限超频。

DDR5的JEDEC标准中，DRAM VPP的推荐工作区间为1.8-1.85V，部分海力士M-die颗粒的DDR5内存超频到8000MHz时，可将该电压设置为1.9V来保障稳定性，这是目前内存超频圈的通用操作方案。

普通用户基本了解下即可，按图中抄作业就行。满足日常需求足以。

按上图所示，搞定了内存频率，以及1：1同步模式。下面调整下内存的时序。B650M小雕内存时序藏得稍微有点深，在上图3-4之间，Advaced Memory Settings 回车，下级目录Memory Subtimings回车，

就可以调整内存的小参了。

然后F10保存，重启。进入系统后，跑TM5验证内存的稳定性。

还是这个老朋友！

有技术错误大家留言指正。谢谢。