步步错：三星早在7年前已错失与英伟达深度合作良机

来源——AMP实验室

海力士爽了

三星电子的半导体分支目前在先进工艺代工和 HBM 内存供应两大方面都遭遇了未能获得英伟达等大客户的大订单的困局。而根据韩国媒体 MK 的报道，三星电子在 7 年前本有可能通过不同行动避免当下危机。

消息人士向这家媒体透露，英伟达 CEO 黄仁勋曾在 2018 年秘密访问三星电子，希望在先进 HBM 内存开发、后 8nm 先进制程代工、CUDA 软件生态培养三个方面展开综合性的深度合作。

不过由于三星集团时任实际领导人李在镕陷入一系列案件调查，黄仁勋未能与李在镕见面。这一司法过程也影响了三星电子当时作出中长期决策的能力，黄仁勋提出的三项合作提议均被拒绝。

在 HBM 内存领域，虽然 SK 海力士凭借与 AMD 的初始合作占据了先发优势，但在 HBM2 时期三星一度掌握主导地位，而从 HBM3 世代开始 SK 海力士凭借与英伟达的密切合作重夺最大市占，这被认为与黄仁勋遭三星拒绝后选择 SK 海力士作为开发伙伴有关。

三星如今正积极寻求与英伟达的合作机会，其负责半导体业务的副董事长全永铉已前往美国与英伟达会面，商讨三星第五代HBM3E 12层产品如何为英伟达的Blackwell Ultra GB300供货以及双方的代工合作关系。此外，三星已完成第六代HBM4 12层样品（36GB）的内部评估，计划向英伟达、AMD送样测试。

但是在HBM3E产品上，由于散热和功耗问题未能通过英伟达的测试认证，导致其加入英伟达供应链的计划一再推迟，直到2024年7月英伟达首次批准三星电子的HBM3用于其GPU上，但这些芯片仅用于为中国市场开发的H20