美光展示其DRAM和NAND多代际产品路线图

美光科技举办了一场演讲，介绍其多代际产品路线图：DRAM方面，继续推进6F²微缩并实现埃级工艺控制，同时向3D DRAM过渡；HBM方面，从标准架构→定制架构→垂直架构（vHBM/vEIM）演进，以实现更高的带宽、容量和能效。NAND方面，通过G11（超过400层、晶圆对晶圆键合、约2倍密度）和AI级设计（高IOPS SLC和TSV堆叠的高带宽变体），让更多数据更靠近计算单元。

美光DRAM路线图

从DRAM路线图来看，美光已将1δ定位为1γ技术的后继者。1δ NAND将在美国制造，目前正处于“良率爬坡”阶段。展望未来，美光将把其DRAM技术的核心聚焦于6F² DRAM，而非4F²，美光表示后者没有可行的扩展路径。

在进一步介绍1δ及其相关产品之前，美光还强调了未来将采用晶圆键合、高数值孔径EUV技术的DRAM技术，随后将转向更新的材料。除此之外，美光还将启动3D DRAM的开发工作，首个产品计划在首批高数值孔径EUV产品推出后不久面世。

回到1δ技术，该技术将比1γ提供20%中段的位密度提升，优化成本，并实现埃级的工艺控制。这款DRAM将采用先进的高介电常数金属栅极互补金属氧化物半导体（HKMG CMOS），并将为高性能产品设计，例如HBM5、vHBM、vEIM、DDR6和LPDDR6。

在HBM方面，美光将把其HBM产品扩展到标准设计、定制设计和垂直设计。定制设计将采用基础裸片逻辑，用于添加差异化功能，例如计算逻辑、核心存储逻辑等。其他制造商也在开发各自的基础裸片HBM解决方案。

美光还计划通过vHBM实现垂直堆叠，即将内存直接堆叠在计算裸片上。这将提供最短的记忆体到计算路径，从而在AI应用中实现更高的每瓦带宽和更高的每瓦token数。

HBM的发展还需要先进的封装解决方案，例如新的堆叠技术（16H凸点与混合堆叠）、热管理创新（在物理层PHY上方加装散热片），以及增加互连数量（TSV和凸点微缩）。

三类HBM将彼此共存。美光已在规划HBM5、HBM5E和HBM6技术，但同时也将开发vHBM和vEIM。vHBM将通过提升带宽、能效和容量来推动token效率进一步提高，而vEIM将专注于提升效率，第一代产品目标为每模块2 TB/s带宽。

美光NAND路线图

NAND方面，美光的G9 NAND目前正在扩产，公司正在开发其后继产品G11，该产品将采用晶圆对晶圆键合技术，拥有超过400层和行业领先的单元间距。G11 NAND 预计将于2027年下半年进入量产爬坡阶段。

纸面上看，G11 NAND将提供约2倍于G9 NAND的位密度，I/O速度提升1.5倍，每次数据传输的效率提升超过25%。在G11之后，美光将着眼于高迁移率材料和超密集单元架构，以驱动未来更节能的设备和数据路径。

美光已与Meta合作，将其下一代LPDDR6解决方案应用于未来的数据中心。该内存架构将实现高能效的内存带宽扩展，这正是先进计算和AI的首要需求。

凭借扩大的研发投入、生态系统合作伙伴关系以及持续扩展的产品路线图，美光已做好充分准备，满足日益增长的高性能内存需求——这些内存正处于从数据中心到边缘的AI系统的核心。