三星研发出新技术，可将NAND闪存的功耗降低96%

三星电子于27日宣布，他们成功研发出一种可将电力消耗最多降低96%的新型NAND闪存技术。该技术通过颠覆传统材料认知，有望在对高容量与高能效要求严苛的人工智能数据中心、边缘计算设备及移动终端等领域实现广泛应用。

根据sedaily的报道，这项突破性成果由三星综合技术院（SAIT）与半导体研究所共34名研究人员共同完成，相关论文《用于低功耗NAND闪存的铁电晶体管》已发表于国际顶级学术期刊《自然》。研究团队重新审视了长期以来被视为“不适合高性能芯片”的氧化物半导体材料，发现其较高的“阈值电压”特性反而可在高堆叠层数的3D NAND结构中有效抑制漏电流，从而显著提升能效。

传统NAND闪存采用“单元串”结构，随着存储密度提升、堆叠层数增加，即使在关闭状态下也会产生不可忽视的漏电流，导致读写功耗持续上升。而三星的新技术通过引入铁电晶体管，精准控制低于阈值电压的电流流动，在维持高存储容量的同时，大幅削减能耗。

据测算，相较现有NAND闪存，新技术可实现最高96%的功耗降低。一旦实现商业化，不仅有助于AI数据中心降低运营成本，还将延长智能手机等移动设备的电池续航时间。

论文第一作者、三星SAIT研究员柳时正表示：“我们验证了超低功耗NAND闪存的可行性，未来将聚焦产品化，推动其在AI生态系统中发挥更大作用。”随着AI对高效存储需求的激增，三星此次技术突破或将成为下一代存储芯片的重要转折点。

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