固态硬盘 篇一：PCIe4.0之IG5236——Lexar NM800 1T评测

一、前言

自从AMD X570 开始支持PCIE4.0之后，支持PCIE 4.0的硬盘也如雨后春笋般冒了出来，而支持PCIE 4.0协议的主控无非有以下几家：三星的Elpis、闪迪自研主控、群联的E16和E18、慧荣的2264以及来自英韧科技的IG5236

这次主要带来的是江波龙旗下的Lexar NM800 1T

二、开箱&外观

正面：

盘体：

主控：

Dram：

颗粒：

整体：

主控方面，Lexar NM800 1T采用的是来自英韧的IG5236 PCIE4.0主控，Dram来自江波龙旗下的FORESEE，颗粒采用的是镁光3D TLC

三、基本信息

惯例，到手上机先看CDI

CDI抓取到的smart的信息较为有限，故使用smartmontools进一步抓取主控的smart信息。如下所示：

由smartmontools抓取到的信息可知，硬盘的警告温度（温度墙）为90℃，实际的温度传感器则是有三个，第一和第二个传感器分别对应的应该是主控/颗粒，而第三个传感器的测温点笔者就不太清楚了。

由smartmontools抓取到的Supported Power States可知，Lexar NM800 1T搭配的英韧IG5236的主控PS0最大功耗为3.5W，实际功耗峰值尚可。

在Windows下采用smartmontools抓取到的信息对比可知CDI所显示的温度为第三个硬盘温控传感器。

四、测试平台及设置

Hardware：AMD Ryzen 3700X @ 4.3GHz

Motherboard：Micro Star X570 Gaming Plus（BIOS Verizon：7C37vAB）

Software：Windows 10 Professional 1909 / Centos 8.4.2105

由于测试采用的是AMD平台，相关测试数据可能偏低

五、基本性能测试

快餐式跑分测试，不做过多赘述，看看就行

六、进阶性能验证

为了进一步测试该盘的实际性能情况，在Centos环境下采用FIO对硬盘进行持续和全面的性(大)能（保）测（健）试。

(1) 全盘读写

首先肯定是来一套全盘读写项目

就算加上利民的M.2散热片，NM800 1T缓内写入仍存在小幅度的波动。由于NM800采用了全盘SLC模式，使其具有较大的SLC Cache，能够有效提升缓内写入速度，但不出意外的是全盘写入呈现三段速，且写入过程中存在波动的情况。第一段读写速度保持在5500MiB/s，第二段则是来到了1200MiB/s，第三段则为650MiB/s。

读取的初始阶段可能由于主控在后台的GC操作，导致其并未达到峰值。之后读取则是能达到峰值5700MiB/s并保持这一速度直至全盘读取完毕。

(2) 4KiB全盘跨度随机读写（QD1T1）

(3) 4KiB全盘跨度随机读写（QD32T4）

(4) SLC Cache写入测试

在此阶段，分别对硬盘进行20%/40%/60%/80%的预填充，静置15min让主控进行GC

(GarbageCollection)操作，然后再对剩余空间进行顺序写入，测试其缓内及缓外顺序写入情况。

①预填充20%

②预填充40%

③预填充60%

④预填充80%

由测试结果来看，在预填充为20%及40%的情况下，NM800的SLC Cache大小均为剩余磁盘空间的1/3左右，硬盘填充空间为60%及80%情况下时，直接关闭SLC Cache，进入到直写模式。

(5) 稳态顺序读写

根据SNIA发布的《Solid State Storage Performance Test Specification》中写道，固态一般分为以下三个阶段：FOB、Transition和SteadyState。

故在此阶段，先对SN850进行了一次全盘顺序写入后，立马进行顺序写入1800s和顺序读取1800s测试项目。

结果如下：