传三星为英伟达开发8层HBM4E：瞄准NVHBM供应链

数天前，英伟达推出了NVHBM。这是一种定制HBM，进一步扩展了NVLink Fusion生态系统，为XPU带来更高的内存性能和效率。亚马逊的Annapurna Labs将成为首个与NVLink Fusion合作开发NVHBM技术的公司，助力打造下一代半定制AI基础设施。

据DigiTimes报道，三星正在配合英伟达，开发8层堆叠HBM4E，将用于NVHBM，速率在17Gbps至18Gbps之间。如果情况属实，三星有望在HBM4E时代的定制HBM竞争中抢得先机。

今年5月，三星宣布开始向全球范围内的主要客户交付业界首批12层堆叠HBM4E样品。其采用了1cnm（第六代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，搭配4nm（SF4）工艺的基础裸片（Base   Die），初始速率为14Gbps，每堆栈最高可达3.6TB/s的带宽，比起HBM4提高了20%以上，12层堆叠提供了48GB容量，比起上一代产品也提高了30%以上。

前一代时间三星确认，HBM4E项目进展顺利，很快会带来速率为16Gbps的产品。同时三星计划根据客户的需求，另外再提供32GB（8层堆叠）和64GB（16层堆叠）配置。目前来看，当时三星所说的8层堆叠HBM4E有可能就是按照英伟达要求的设计。

虽然过去这些年里，HBM一直朝着更多堆叠层数的方向发展，但是并不代表低堆叠设计就没有生存空间，更低的DRAM用量及更高的良品率，可以降低成本，提升出货规模，更有利于大规模生产。

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