SK海力士瞄准英特尔EMIB 2.5D封装技术用于HBM内存

SK海力士正与英特尔合作，利用其嵌入式多芯片互连桥接（EMIB）2.5D封装技术用于HBM内存。

随着SK海力士致力于供应链多元化，以及客户越来越多地考虑英特尔代工服务，其正在与英特尔就2.5D封装技术展开研发合作。英特尔顶级的2.5D封装技术是其EMIB，该技术通过嵌入封装基板中的桥接实现多个硅芯片的互连。SK海力士有意将这项技术整合到其HBM内存中，推测可能是为了让其HBM4内存模块达到EMIB集成的标准，以防其AI芯片合作伙伴选择英特尔代工服务来为其下一代解决方案进行先进封装。

小型硅EMIB桥接，有EMIB-M（嵌入式MIM电容器）和EMIB-T（带TSV）等变体，能够提供低成本、高密度的边缘I/O连接，，非常适合逻辑芯片与逻辑芯片、以及逻辑芯片与HBM之间的接口。然而，截至目前，SK海力士一直使用台积电及其CoWoS 2.5D封装技术。随着CoWoS逐渐接近其极限，且客户正在寻求替代封装方案，EMIB 正成为一个强有力的候选方案，以在超越传统830 mm²硅面积光罩限制的多个方向上继续推进芯粒（chiplet）的扩展。

SK海力士自主生产硅芯片，但本身并不涉足先进封装解决方案。其最先进的封装形式是混合键合（hybrid bonding），该技术涉及将硅片直接堆叠在硅片之上，并使用数千个TSV（硅通孔）进行互连。然而，公司必须将这种新型封装集成到整个AI加速器中，该加速器将十几个这样的封装组合成一个统一的封装体。这正是台积电CoWoS技术发挥作用的地方，也是英特尔EMIB现在将继续扮演角色的领域。

目前尚不清楚首批芯片的具体上市时间表，但研发工作正在进行中，并希望在未来几个季度看到首批成果。