三星宣布正在打造第 9 代 V-NAND SSD 储存颗粒，堆叠超300层

日前，三星电子总裁兼内存业务负责人Jung-Bae Lee在闪存峰会上宣布，三星正在开发第9代V-NAND储存颗粒，堆叠超300层，计划在2024年量产。

据了解，三星该颗粒采用 V-NAND 双堆栈架构，比竞争对手的3D NAND 颗粒拥有更多层，例如SK海力士即将推出的321层颗粒。这意味着三星的颗粒会有更高单体容量，更好的性能，尤其是I/O性能。

三星表示，第9代 V-NAND 颗粒计划于2024年推出，采用11nm级工艺，其他细节未透露，但预计会被部署在PCIe 5.0 SSD中。

另外，三星 Jung-Bae Lee 还指出：未来会出现在1000层堆叠的 V-NAND 颗粒，新结构和材料创新至关重要。因此，三星正在开发3D堆叠新结构和新材料，同时增加层数，增加密度，并最大限度地减少单元间干扰，保证稳定性。

2024年量产，进入300层大关，可预见 SSD 的容量和性能会在上一层楼，技术相对落后的产品价格预计会更便宜。

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