三星公布内存路线图，HBM5 性能目标翻倍

三星在 SEMICON Taiwan 上放出了下一代内存路线图，HBM5 的目标是性能比 HBM4E 翻倍，功耗效率再提升 20%。

按照三星副总裁崔章锡的说法，HBM5 除了性能翻倍，还要把热阻降低 20%，好对付 AI 加速器越来越高的发热。工艺上也会更进一步，基座晶片从 HBM4 的 4nm 换到自家的 2nm。堆叠方面，三星在准备 12 层、16 层、20 层三种 DRAM 堆叠方案，大规模量产预计在 2028 年左右。

真正的大招在后面，是 zHBM。这是一种和传统 HBM 完全不同的新架构，传统 HBM 是把内存放在 AI 加速器旁边，zHBM 直接把内存堆到处理器正上方，缩短数据传输距离，换来更高带宽和更好能效。三星给它的目标是性能比 HBM4E 高 8 倍，能效高 3 倍，热阻降低 75% 到 90%。不过这个要等到 2029 年之后。

NAND 这边也有动作。三星在搞一种叫 zNAND-O 的技术，计划 2028 年送样，目标是做到 DRAM 级别的速度、NAND 级别的容量，读带宽和能效都是现有 NAND 的 7 倍，专门服务生成式 AI 和大模型。

这些技术背后，是三星提出的「CUBE」框架，四个字母分别代表容量、利用率、带宽和效率。思路很清晰，就是让内存在不扩大面积的前提下，通过纵向堆叠、缩短传输距离，把性能和能效往上顶。

对普通消费者，这条路线图短期内跟你关系不大，HBM 都是喂 AI 加速器的。但它说明一件事，内存巨头们都在拼下一代 AI 内存，消费级内存的产能，短期内还得继续给 AI 让路。

评论区聊聊，内存一直涨，你还买得下手吗？

作者提示含AI生成内容。