引入High-NA EUV推高14A成本，英特尔预计每瓦性能比18A提高15-20%

在2024年2月21日举办IFS  Direct Connect活动中，英特尔公布了新的工艺路线图，新增了Intel  14A制程技术和数个专业节点的演化版本，并带来了全新的英特尔代工先进系统封装及测试（Intel Foundry Advanced System  Assembly and Test）能力，以助力其客户在人工智能（AI）领域取得成功。与原来不同的是，英特尔在Intel  14A才会引入High-NA EUV光刻技术，而不是原来的Intel 18A。

据TomsHardware报道，近日英特尔首席财务官David  Zinsner在花旗2025年全球技术、媒体和电信会议上表示，Intel 14A比Intel  18A更贵，虽然投资并没有明显提高，但是晶圆成本肯定会更高，部分原因是英特尔打算在Intel 14A上使用High-NA EUV光刻设备。

英特尔预计Intel  14A的每瓦性能比Intel  18A提高15%至20%，功耗则降低25%至35%。新制程工艺技术的特点是经过升级的全栅极场效应晶体管“RibbonFET  2”，另外还有PowerDirect直接触点供电技术，有别于Intel 18A的PowerVia背面供电技术。Intel  14A另外一项关键创新是Turbo  Cell技术，通过独特的设计和灵活的晶体管排列优化关键路径性能，从而提高CPU和GPU的频率，可混合使用高速、低功耗单元以实现最佳PPA（功耗、性能和面积）平衡。

目前最新的High-NA  EUV光刻机型号为TWINSCAN EXE:5200B，预计每台成本为3.8亿美元，远高于当前型号为TWINSCAN  EXE:3800E的EUV光刻机。与现有的EUV设备（NA 0.33）相比，High-NA EUV的光学性能（NA  0.55）提升了40%，这一改进使其能够制作出精密度高达1.7倍的电路图案，并将集成度提升2.9倍。

根据产能的不同，一间采用尖端工艺技术生产芯片的现代晶圆厂的成本在200亿至300亿美元之间。虽然High-NA  EUV光刻机很贵，但是比起来几乎不会明显增加晶圆厂的建厂成本。另一方面，Intel  14A工艺的研发成本就要数十亿美元，一旦计划有变，还会有额外的成本增加。

David  Zinsner认为，首席执行官陈立武（Lip-Bu Tan）表达的意思就是如果英特尔不能从外部获得Intel  14A的客户，就很难证明该制程节点的合理性，即便英特尔自身是Intel  14A的大客户，但是要考量需求的总和，确保其达到为股东创造合理投资回报率的水平。

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