重塑电源系统性能边界，英诺赛科重磅推出INN100EA035A

随着人工智能、云计算及高密度电源需求的急剧增长，功率电子正面临着前所未有的效率、功率密度及热管理挑战。传统硅基MOSFET因材料特性所限，在高压、高频环境下的性能瓶颈日益凸显。在此背景下，氮化镓（GaN）技术凭借独特的宽禁带特性、高电子迁移率及低开关损耗，成为打破技术壁垒、引领行业变革的关键力量。

英诺赛科（02577.HK）作为GaN领域的佼佼者，近期推出全球首款实现大规模量产的100V级GaN功率器件——INN100EA035A。这款产品的问世，不仅标志着GaN技术在电源系统性能边界上的重大突破，更为AI服务器及48V基础设施的高效能源转换提供了全新的解决方案。

INN100EA035A采用了业界首创的双面散热En-FCLGA封装技术，这一创新设计彻底颠覆了传统单冷却封装的热管理方式。通过顶部与底部的协同散热，En-FCLGA封装成功将热阻降低至0.49°C/W，较同类单面散热方案提升了高达65%的导热效率。这一改进有效降低了器件的工作结温，还结合其3.5mΩ的超低导通电阻，使得在48V/25A的工作条件下，稳态损耗较同类硅基MOSFET减少了35%以上。

在AI服务器48V DC-DC电源架构中，INN100EA035A展现出了卓越的性能优势。其垂直电流路径设计极大地降低了PCB寄生电阻，使得功率密度较传统MOSFET提升了20%。同时，系统级效率在满载条件下可突破98%，这一数据既彰显了GaN技术在提升能源转换效率方面的强大能力，也显著降低了散热需求与整体方案成本。此外，双面散热设计还兼容多层PCB与外部散热器的灵活组合，为设计者提供了更多的散热方案选择。

除了AI服务器电源领域，INN100EA035A在太阳能MPPT、同步整流及电机驱动等领域同样展现出了强大的竞争力。其低损耗、高频率的特性使得这些应用场景下的能源转换效率得到了显著提升。

值得一提的是，英诺赛科已基于En-FCLGA封装技术推出了多款产品，导通电阻范围覆盖1.8-7mΩ。除INN100EA035A已进入量产阶段外，其余产品均已进入工程验证阶段，预计将在近期上市。这一系列产品的推出，将进一步丰富英诺赛科的GaN产品线，以满足AI服务器、可再生能源逆变器等市场对功率器件多样化、定制化的需求。

INN100EA035A的推出，不仅是英诺赛科在GaN技术领域的一次重大突破，更是整个功率电子系统发展历程中的一个重要里程碑。它成功解决了高功率密度场景下的效率与可靠性矛盾，为AI服务器电源、太阳能MPPT及电机驱动等场景提供了更优的半导体基础。随着该技术向更高电压等级延伸，GaN器件有望在新能源汽车电驱、工业变频器等领域实现更广泛的技术替代，开启功率电子系统的新纪元。