SK海力士将支持英特尔EMIB先进封装技术，打造下一代HBM解决方案

过去几个月里，不少芯片设计公司都在探索多元化芯片供应链的方案，将目光投向了英特尔的EMIB封装。考虑到越来越多的客户有意选择英特尔的代工服务，SK海力士也计划与英特尔展开合作，让EMIB封装可用于HBM，以满足未来客户的需求。

据Wccftech报道，近日SK海力士阐述了如何利用先进封装技术，加速其HBM路线图，不但引入EMIB封装，也将3D集成作为目标。

目前HBM通过TSV（硅通孔）将多个DRAM芯片连接到一个基础裸片（Base   Die），最多可以做到16层堆叠。HBM与计算模块（XPU：包括GPU和TPU等）都是独立的，通过2.5D封装安装在同一个中介层。每个HBM模块还包含1024位I/O接口，共16个通道，通过PHY（物理接口层）将HBM与计算模块相连。接下来的HBM4会将I/O接口扩展到2048位，这是是2015年HBM内存技术推出后的最大变化。

现在主要有两种HBM封装技术，包括：一个是热压键合+非导电膜（TC+NCF）；另外一个是整体回流+模塑底部填充（MR+MUF）。TC+NCF能更好地应对芯片翘曲问题，但是热阻更高，而且生产率较低。MR+MUF生产率更高，热阻也更低，但是更容易出现芯片翘曲，并在间隙填充方面存在缺陷。

未来SK海力士打算通过混合键合技术，在未来的芯片堆叠中消除凸块，减少间距。同时SK海力士正在打造名为“I-HBM”的局部散热技术，类似于三星的HPB，以优化了传热路径，更有效地分散热量。另外SK海力士还准备了各种解决方案，积极应对未来HBM技术的迭代。

在SK海力士展示的2.5D   HBM解决方案里，除了大家熟悉的CoWoS-L、CoWoS-R和CoWoS-S，已经加入了英特尔的EMIB封装技术。有传言称，SK海力士与英特尔可能展开进一步合作，在存储领域组建合资公司。与三星一样，SK海力士也将采用3D垂直堆叠，将HBM放置于计算模块之上。

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