英特尔新专利披露，冲着HBM来的，能弯道超车吗？

量产再说

随着 AI 算力需求的激增，高带宽内存（HBM）虽然风头正劲，但其高昂的功耗与发热问题始终是业界挥之不去的“阴影”。近日，英特尔的一系列专利动作显示，这家公司正试图通过一种名为 Z-Angle Memory的新技术，彻底颠覆现有的 AI 存储格局。

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英特尔近期公开了一项名为“用于伪分块晶圆存储访问的方法和装置”的核心专利。据悉，该专利正是英特尔与软银（SoftBank）共同研发的 ZAM 技术的运行核心。

与传统 HBM 垂直堆叠 D-RAM 并在内部密布硅通孔（TSV）的方案不同，ZAM 另辟蹊径，采用了斜向（Z 字型）电路连接结构。 这种设计大幅减少了复杂的 TSV 数量。

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这一专利的重点在于“分块激活”，系统不再需要一次性驱动整个DRAM晶圆，而是只根据需求来激活特定的部分，这样的设计，可以让ZAM的功耗控制比传统HBM低40~50%；并且，通过更细致的电路划分，ZAM内存不仅可以降低温度，还能更进一步拉高带宽。

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英特尔的野心不止于技术研发。从早前公开的“多晶圆互连封装基板”结构专利，到如今的“运行方法”以及“自对齐通孔图案形成”等工艺专利，英特尔正在构建一套严密的知识产权屏障。这意味着，即便竞争对手未来想要开发类似结构的内存，也必须面临难以避开的专利侵权风险。

不久前的消息表示，英特尔目前还在正与软银及其子公司 SciMemory 紧密合作，并同步开发名为 “NGDB” 的全新半导体封装技术。

该技术的商业化目标是2029~2030年，而在本月举行的Intel Connection Japan 2026上，公司推出了ZAM的原型产品。

一位业内人士表示，“HBM最大的技术障碍是发热和功耗”，并补充道，“英特尔正在通过ZAM追求整体创新，不仅包括DRAM堆叠结构，还包括AI半导体中的布局，因此它是否会撼动HBM格局值得关注。”