三星实现NAND闪存功耗降低96%

三星发布了一项新研究，展示了一种大幅降低NAND闪存功耗的方法。在《自然》杂志发表的一篇论文中，来自三星高级技术研究院（SAIT）和半导体研发中心的34名工程师团队描述了如何将铁电材料与氧化物半导体结合，从而在字串级操作（NAND闪存通过串联单元传递信号来读取/写入数据的方法）期间将功耗降低多达96%。

现代NAND不断增加层数以提升容量，但这也延长了信号必须通过每个单元字串的路径。随着堆叠高度增加，读写功耗也随之上升，早期尝试使用铁电设计并未完全解决这个问题。

三星的方法利用了氧化物半导体的电学特性。这些材料通常具有有限的阈值电压控制能力，这在其他器件类型中被视为缺点。然而，在这种设计中，这一特性有助于降低开关功耗，同时仍支持高密度存储，包括每个单元最多5比特。通过重新设计晶体管结构并将这些材料应用于NAND布局中，该团队展示了一条在不牺牲存储容量的情况下显著降低功耗的明确路径。

如果推向市场，这项技术有助于降低数据中心的功耗，并延长移动设备和边缘AI设备的电池续航时间。市场研究公司Omdia预测，全球NAND收入将从2024年的656亿美元跃升至2029年的937亿美元，同期出货量年均增长率为17.7%。

然而，就在上周有报道称，三星似乎计划将其位于平泽和华城的NAND闪存生产线部分转型为DRAM生产，并且将即将投产的平泽4厂（P4）作为纯DRAM生产线运营。行业消息称，三星对NAND市场已变得谨慎，而标准DRAM的需求（和价格）却大幅跃升。