集SRAM、DRAM、NAND优点于一身！英特尔前CEO开发新型内存：制造比HBM更简单

快科技10月29日消息，据报道，近日，英特尔前CEO帕特·基辛格通过风投机构Playground Global，领投了内存初创公司Nagare Labs的500万美元种子轮融资（快科技注：约合人民币3357万元），押注其Z2RAM新型内存架构。

Z2RAM的目标是同时兼具SRAM的速度、DRAM的密度与NAND闪存的制造可扩展性。其存储单元采用双晶体管零电容架构，利用第二个晶体管的栅极电容存储电荷，读取过程不破坏数据，天然省去了DRAM必需的读后回写环节，延迟因此优于DRAM。

制造路径是Z2RAM最受关注的特点。它基于氧化物半导体，走标准后段制程，多层存储可通过单次光刻曝光成形，完全绕开昂贵的EUV光刻机。垂直堆叠逻辑也更接近NAND的层层构建方式，而非HBM式的封装堆叠，成本和制造难度理论上显著低于HBM。

密度指标相当激进。初代Z2RAM的比特密度瞄准SRAM的5倍以上。作为参照，同样64MB的SRAM空间，Z2RAM可以做到320MB，带宽仍与SRAM对标。

对于Groq LPU这类纯SRAM架构的AI加速器，单颗芯片约500MB的容量有望提升5倍，所需芯片数量可相应减少。

不过Z2RAM仍处于实验室原型阶段。Nagare Labs计划在4年内推出可工作的芯片样品，未来10年实现商业化交付。

当前的主要障碍包括缺乏标准接口，以及氧化物半导体材料稳定性对规模化制造的挑战。基辛格本人也承认，内存领域三十年来没有出现过重大革新，这条路注定不好走。

编辑：红茶

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