张大妈

#AI引爆存储芯片超级周期!#三星海力士疯狂提速扩产,缺口竟要持续到2027年

源自抖音:熵智财经纪元

02-22 11:17

AI算力需求正彻底引爆存储芯片市场,迫使三星与SK海力士等巨头从谨慎控货转向疯狂扩产。面对根本挡住的需求洪流和持续扩大的供需缺口,一场围绕高端存储的产能竞赛已然展开,其影响将远超以往任何消费电子周期。

#AI引爆存储芯片超级周期!#三星海力士疯狂提速扩产,缺口竟要持续到2027年智能速览

  • AI算力需求引爆存储市场,巨头从控货转向扩产。

  • 全球内存芯片需求满足率仅剩60%,缺口持续扩大。

  • AI服务器存储消耗是传统服务器的8到10倍。

  • DRAM和NAND需求增速显著超过供给增速。

  • 产能向高毛利HBM倾斜,加剧通用存储短缺。

  • 机构预测供应紧张局面将持续到2027年。

#AI引爆存储芯片超级周期!#三星海力士疯狂提速扩产,缺口竟要持续到2027年精华内容

这场由AI引发的存储芯片争夺战,其激烈程度和持久性远超以往,巨头们的战略转向预示着一个新时代的到来。

战略大转弯

面对AI带来的空前机遇,三星与SK海力士集体调转船头,从过去的谨慎控货策略,直接切换到疯狂扩产模式。三星已将其P4工厂的投产计划提前了三个月,预计今年四季度即可投产,并专门建设了月产能超过10万片的HBM专属产线。SK海力士同样动作迅速,其龙仁一期工厂尚未完全竣工便已开始试产,计划明年二至三月正式开工,重点生产DDR5与HBM等高端产品。

需求洪流难挡

这场产能竞赛的背后,是AI算力带来的根本挡不住的需求洪流。当前全球内存芯片的需求满足率已骤降至60%。据透露,三星目前70%的内存出货量全被AI数据中心抢购一空。AI服务器对存储的消耗量极为惊人,是传统服务器的8到10倍。全球数据中心的疯狂扩建,直接导致DRAM和NAND的需求增速远超行业供给能力。

供需严重错配

数据显示,今年DRAM需求预计增长20.1%,但供给预计仅增长17%,存在3.1%的缺口。NAND市场的供需错配更为严重,需求增长21.4%的同时,供给只能增长16.5%,缺口高达4.9%。这种供需不平衡的局面,直接拉满了市场的紧张情绪,并推动价格持续上涨。

缺口的根源

即便巨头们拼命扩产,市场缺口也无法被快速填补,原因有二。首先,各大厂商为了追求更高利润,正将产能集中向HBM这类高毛利产品倾斜,这直接挤压了通用存储芯片的产能,加剧了后者的短缺。其次,半导体行业从建厂到量产存在天然的时间延迟,三星也坦言,今明两年的产能扩张将非常有限。

超级周期展望

各大市场分析机构一致预测,由AI驱动的存储芯片供应紧张局面,至少会持续到2027年。价格的上行趋势预计也将延续到今年三季度。这波由AI驱动的超级周期,无论是强度还是持久性,都远比以往由消费电子驱动的周期更为猛烈。三星与海力士的战略大转弯,本质上是押注AI算力需求的永续增长。

由AI驱动的存储芯片超级周期已经全面开启,巨头们的战略调整只是这场全球竞赛的开端。持续的供应紧张将对多个行业产生深远影响,如何在新的技术浪潮中把握机遇,将成为每个参与者必须思考的问题。

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