RTX 3080 Ti工程卡曝光：三星8nm工艺、4倍光追性能提升

关于NVIDIA安培显卡，圈内又有新消息传来。据国外知情人士Moore’s Law is Dead指出，由于满足不了NVIDIA的预订产能，今年推出的RTX 30系列显卡，GPU核心均基于三星8nm打造，台积电7nm EUV需要等到明年上半年就绪，这意味着，后续的升级该款RTX 30xx Super才有机会换装7nm核心。

爆料称认为，这会让7nm的AMD RDNA2独显（“Big Navi”）处于相对有利的位置。关于GA102核心RTX工程样卡的细节参数，爆料也做出修正，以下是最新汇总，据说GA102会同时用在RTX 3080 Ti（一说叫3090）和RTX 3080上——

- 罕见的三风扇散热设计

- 12Pin外接供电接口取代8Pin

- 基础频率2GHz，加速2.2GHz

- 默频下功耗300瓦左右

- 全核心版本拥有5376个CUDA，12GB显存，18Gbps带宽

- 4K绘图性能提升了40%

- 较RTX 2080 Ti的IPC有坚实提升，光追性能增加3~4倍

- 首发支持DLSS 3.0

本文经快科技授权发布，原标题：RTX 3080 Ti工程卡曝光：三星8nm工艺、4倍光追性能提升，文章内容仅代表作者观点，与本站立场无关，未经允许请勿转载。