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存储江湖 | 三星半导体：存储之王的多面人生

【存储江湖】

于毫厘之间，见刀光剑影；于瞬息之内，定胜负输赢。GMIF创新观察深度解读系列之存储江湖，为您记录存储芯片领域的每一次重要抉择和趋势。

在存储江湖中，三星电子是一个无法被绕开的名字。它如同一位统治了疆域三十年的王者，手握DRAM和NAND两柄绝世神兵，以雄厚的资本和无与伦比的垂直整合能力，定义着整个行业的规则。

然而，进入AI时代，这位王者却在最关键的HBM战场上意外受挫，露出了巨人盔甲下的缝隙。2025年，三星交出了一份矛盾的成绩单：一边是创历史新高的营业利润，另一边却是远低于竞争对手的利润率。

这便是存储之王的多面人生——既有三十年不败的辉煌，也有错失时代的隐忧；既有V-NAND技术一骑绝尘的骄傲，也有HBM战略失误的窘迫。

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（图片来源：三星）

不败的王者：

三十年霸业，双料冠军

自1993年超越日本厂商，成为全球DRAM市场第一以来，三星开启了长达三十年的统治。凭借著名的“反周期投资”定律，三星在行业低谷时大举扩张产能，在行业复苏时收割市场，一次次将竞争对手甩在身后。在DRAM领域，三星长期占据约40%的市场份额，是当之无愧的霸主。

而在NAND Flash领域，三星更是技术路线的定义者。2013年，当整个行业还在为2D NAND的微缩极限而苦恼时，三星率先推出了全球首款3D NAND——V-NAND，通过将存储单元垂直堆叠，一举打破了物理极限。这一创举，如同武林高手打通任督二脉，开启了NAND Flash的全新时代。

三星存储业务历史地位:

DRAM: 1993年至今，连续约30年位居全球市场份额第一
NAND Flash: 2013年推出全球首款V-NAND，技术持续领先，市场份额稳居第一（约35-37%）

这种在两大主流存储市场的双重统治地位，构成了三星半导体帝国的基石。

王者的铠甲：

V-NAND，一骑绝尘的技术壁垒

如果说DRAM市场的胜利是资本与战略的胜利，那么NAND市场的领先则更多是技术的胜利。三星的V-NAND技术，是其最坚固的铠甲。

从2013年的第一代24层V-NAND开始，三星在堆叠层数的竞赛中始终保持领先。当竞争对手还在追赶200层技术时，三星已经将目光投向了更遥远的未来。

三星V-NAND技术路线图

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（数据来源：三星官方发布及公开报道）

更高的堆叠层数，意味着在同样大小的芯片上实现更高的存储密度和更低的单位成本。这种持续的技术领先，让三星在NAND市场拥有无可匹敌的成本优势和议价能力。2026年第一季度，三星将NAND合约价格悍然上调100%，远超市场预期，正是其强大市场地位的体现。

王者的盲点：

HBM，一次代价高昂的战略失误

然而，坚固的铠甲也有缝隙。AI时代的到来，让HBM（高带宽内存）成为比DRAM和NAND更具战略价值的“兵家必争之地”。而在这场决定未来的战争中，三星却意外地“打了个盹”。

尽管三星早在2016年就量产了HBM2，是市场的早期参与者。但在2023-2024年最关键的HBM3E世代，三星却因为良率问题，迟迟无法通过英伟达的认证，错失了AI服务器需求爆发的黄金窗口期。这直接导致其HBM市场份额从2022年的约40%，暴跌至2025年第三季度的17%。

HBM市场份额演变 (2022 vs 2025)

图片

(数据来源：CWW, Counterpoint Research )

这次失误的代价是惨痛的。虽然三星在2025年第四季度凭借传统DRAM和NAND业务的强劲复苏，创下了20万亿韩元的历史最高营业利润，但其半导体部门的营业利润率仅为21%，远低于SK海力士的49%和美光的48%

这意味着，三星虽然赚了最多的钱，但其赚钱的效率却远不如竞争对手。HBM的缺位，让这位王者“增收不增利”，陷入了“大而不强”的尴尬境地。

王者的反击：

HBM4豪赌与价格战

面对困境，三星展现了王者的决断力。在HBM3E上追赶无望后，三星选择“跳代”，将全部资源押注在下一代产品HBM4上，并打出了一套凶狠的组合拳。

HBM4反击战：三星宣布将于2026年2月开始向英伟达供应12层堆叠的HBM4产品，并已在2025年10月获得英伟达的采用确认。这是三星重返AI存储核心供应链的背水一战。
激进价格战：在传统存储市场，三星挥舞起价格屠刀。2026年第一季度，将NAND合约价上调100%，DRAM上调近70%，试图用传统业务的利润来弥补HBM失利的损失，并为HBM4的研发和产能扩张提供“弹药”。
产能协同：三星计划将HBM产能扩大50%，并加强与自家代工部门的合作，以期在HBM4上实现技术和制造的协同优势。

结语：存储之王的多面人生

三星半导体的故事，是一个典型的“多面人生”。

• A面是王者：三十年不败，DRAM和NAND市场无可争议的领导者，拥有最完整的产业链和最深厚的技术积累。

• B面是追赶者：在决定未来的HBM战场上，它暂时沦为了一个追赶者，需要用HBM4的成功来证明自己。

• C面是“利润洼地”：空有庞大的营收，利润率却被竞争对手大幅超越，显示出其在高端产品上的结构性短板。

2026年，将是检验三星成色的关键一年。HBM4能否成功“复仇”，将决定三星是继续维持其摇摇欲坠的王座，还是眼睁睁看着SK海力士和美光在AI的盛宴中分走最大的蛋糕。存储江湖的剧本，远未到终局。

关于GMIF创新观察

GMIF创新观察，是 GMIF 创新峰会的内容与传播平台。我们以媒体与研究的方式记录行业趋势，以市场化办会方式提升峰会体验与专业度，持续赋能服务产业伙伴，为行业提供深度、客观的洞见与观察。

参考文献 |

SK hynix Newsroom. (2024, June 27). HBM设计担当朴明宰副社长：“HBM的成功之道在于其压倒性技术实力”.
Wallstreetcn. (2026, January 25). 存储疯狂紧缺!韩媒：三星电子将一季度NAND价格上调100%. Retrieved from https://wallstreetcn.com/articles/3764089
CWW & Counterpoint Research. (Multiple Dates). HBM Market Share Reports.
Samsung Electronics. (2026, January 8). Samsung Electronics Announces Earnings Guidance for Fourth Quarter 2025. Retrieved from https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-announces-earnings-guidance-for-fourth-quarter-2025

撰文 | Aiman

数据校对 | 微光

配图/排版 | Eunice

审核 | Carina、Alan