存储三巨头合谋制造“内存末日”！三星、SK海力士、美光被告了

快科技6月29日消息，据报道，三星、SK海力士和美光6月25日在美国加利福尼亚联邦法院被提起集体诉讼，被控合谋操纵DRAM价格，制造了所谓的“内存末日”。

原告约翰·特里诺代表近年来购买含传统DRAM产品的消费者和企业提起诉讼，指控三家公司利用在全球DRAM市场的主导地位，以向HBM转型为借口，协同削减DDR3和DDR4等传统内存的产量，人为制造供应短缺。

诉讼的核心逻辑在于HBM对传统DRAM产能的挤压效应，HBM内存芯片在物理尺寸上远大于标准DDR芯片，单颗HBM3E DRAM芯片的面积约为DDR芯片的两倍，这意味着每生产一颗HBM芯片就要消耗两倍的晶圆面积。

2026年HBM预计将占全球DRAM晶圆产能的约25%，而HBM需求正以每年约70%的速度增长。尽管全球DRAM晶圆总产能2026年预计增长14%，但分配给传统DRAM的产能仅增长10%，这一剪刀差直接导致了消费级内存的供应缺口。

诉讼认为，三巨头本可以同步扩产传统DRAM来填补缺口，却选择将产能集中转向利润更高的HBM，形成事实上的协同减产。

这一协调行动的直接后果是DRAM价格在过去四年中上涨约700%，苹果近期全面上调iPad和Mac售价就是价格传导的典型案例，也被诉讼列为触发事件。

诉讼还援引了三家公司此前的不光彩记录，2005年，三星就DRAM价格操纵指控向美国司法部认罪，被处以3亿美元刑事罚款，这是美国反垄断史上第二大罚款。

同年SK海力士也认罪并被罚1.85亿美元，加上尔必达的罚款，整起案件总罚金达到7.31亿美元，多名高管被判处入狱。

原告认为，三家公司当年就曾通过协调产量和报价来操纵市场，如今只是将同样的手法换成了“HBM转型”的新包装。

在可预见的未来，HBM对传统DRAM产能的吞噬仍将持续，三巨头在HBM领域的寡头地位也让它们有能力继续主导产能分配节奏，这场诉讼能否改变存储市场的供需格局仍有待观察。

编辑：黑白

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