SK海力士、三星16 Gb LPDDR6运行速度分别达14.4 Gbps、12.8 Gbps

韩国存储制造商SK海力士和三星正准备在2026年2月15日至19日于旧金山举行的国际固态电路会议（ISSCC）上展示其下一代LPDDR6存储解决方案。对于SK海力士和三星来说，这包括对其低功耗DDR存储的更新，现已进入第六代。SK海力士的LPDDR6模块将采用16 Gb容量，每引脚传输速率达14.4 Gbps，基于1c代（1γ代）半导体节点制造，这是该公司第六代10 nm DRAM。SK海力士以JEDEC最高LPDDR6速度运行这些新模块，意味着该公司已接近这项新技术的极限，超频版LPDDR6X可能很快面世。

另一方面，三星自CES 2026最初展示以来已改进了其LPDDR6。该公司现在将展示其16 Gb LPDDR6模块，运行速度达12.8 Gbps，比几周前的10.7 Gbps模块有显著提升。据报道，三星采用12 nm工艺制造这款LPDDR6存储，比SK海力士的10 nm稍大，但这些模块也带来了巨大优势。该公司声称与前代LPDDR5X相比能效提升了21%。此外，三星的LPDDR6存储对I/O使用NRZ信号和12DQ子通道，而SK海力士模块可能也采用相同方案。

关于SK海力士和三星模块的更多细节包括标准的新型LPDDR6技术。最重要的特性是集成的行激活计数跟踪，这是任何DRAM标准中的首创，通过让控制器和存储芯片共同监控激活次数，而不是像前几代那样仅依赖基于刷新的缓解措施，直接应对行锤攻击。该标准还引入了将元数据直接嵌入数据包而非使用专用引脚的设计，支持全面的片上及链路纠错，具备单比特纠错和多比特检测能力。在能效方面，LPDDR6支持跨三个电压轨的动态电压频率调节（LPDDR5为两个），以及可在提升设备密度的同时将I/O功耗降低一半的效率模式。