芯周刊 ｜ 2月9日-2月13日 半导体与存储产业大事记

时序流转，创新为纲；科技迭代，洞察先行。GMIF 创新观察聚焦存储技术与半导体产业前沿，每周为您汇总硬核突破、行业趋势相关热点消息。

01

宏观政策/机构数据

Macroeconomic Policies/Institutional Data

本周（2.9-2.13）存储板块呈现先涨后回调、整体收涨走势。

存储芯片（886042）本周反弹明显，扭转了上周 -6.32% 的颓势。其中。2.9单日涨幅达 3.04%，但随后两日回调，12日小幅收涨。龙头股多数上涨，兆易创新、万润科技、江波龙、澜起科技均呈上涨趋势，中微公司表现相对弱势，周内跌幅超 1%。

TrendForce：2026年存储器产值达5516亿美元，为晶圆代工2倍以上。

TrendForce集邦咨询最新数据显示，受AI浪潮推动，2026年存储器与晶圆代工产值将同步创下新高。存储器产业受供给吃紧与价格变动的影响，产值规模大幅扩张至5516亿美元。同期晶圆代工产值也达到2187亿美元的新高，但存储器产值规模已攀升至晶圆代工的两倍以上。

Counterpoint：当前存储器价格相较 2025Q4 飙升多达 90%。

市场研究公司 Counterpoint Research 在《2月内存价格追踪报告》中指出，在 2026Q1 尚未结束的情况下，存储半导体产品价格目前已相较 2025Q4 上涨多达 90%，一般 DRAM、HBM、NAND 的价格均创下历史新高，存储半导体迎来前所未有的创纪录暴涨。

美国半导体行业协会（SIA）宣布，2025年全球半导体销售额将达到7917亿美元，较2024年增长25.6%。

半导体行业协会（SIA）公布最新统计数据显示，2025年全球半导体销售额达到7917亿美元，较2024年的6305亿美元同比增长25.6%，创下历史最高年度销售纪录。此外，2025年第四季度销售额为2366亿美元，同比增长37.1%，环比2025年第三季度增长13.6%。2025年12月单月销售额为789亿美元，较11月环比增长2.7%。

02

行业大新闻

Major Industry News

华邦电子DRAM涨价50%，产能已被抢空。

中国台湾DRAM厂商华邦电子总经理陈沛铭表示，今年一季度DRAM合约价延续大涨近50%的涨幅，今年产能已全数售罄，接下来高雄路竹厂新增的DDR4、LPDDR4产能也已全数售罄。

澜起科技香港上市首日股价飙升57%，市值突破2000亿港元。

澜起科技股份有限公司2月9日在香港上市首日股价飙升57%，此前该公司通过配售筹集了9.02亿美元。这家芯片设计公司的股票在以每股106.89港元的价格进行配售后，交易价格达到168港元，该价格为发行价区间的上限，市值一度突破2000亿港元。

三星最早下周开始量产HBM4。

三星电子决定最早于本月第三周开始量产HBM4，这批产品将用于英伟达下一代人工智能计算平台Vera Rubin。在已通过英伟达认证测试的情况下，三星电子综合考虑Vera Rubin的上市计划，最终敲定了量产时间。业界预计，英伟达有望在下月举行年度开发者大会（GTC）上首次公开搭载三星电子HBM4的相关产品。

三大存储原厂引入新订单结算方式：客户需在期末根据行情“补差”。

三星、SK海力士和美光等存储巨头正在推行一种新型合同模式，不仅将合同期限大幅缩短至季度甚至月度，更引入"后结算"条款——即使供货已完成，客户仍需根据市场价格追加付款，这一变化主要针对北美大型科技公司。这种新型合同允许供应商在供货结束后根据市场价格调整收款。例如，若DRAM合同价为100韩元，一年后市场价翻倍，客户需额外支付100韩元差价。这标志着存储行业从传统的固定价格模式向动态定价机制的根本性转变。

高通在印宣布流片 2nm 芯片，印度部长称下一目标是本地 2nm 晶圆厂。

高通在印度宣布完成2nm芯片的流片 (Tape-out)并对外展示了晶圆样品。高通表示这是一项由在印工程团队支持的全球性里程碑。参与高通活动的印度电子与信息技术部部长 Ashwini Vaishnaw 表示，印度的下一个目标是在国内建设 2nm 工艺制程的晶圆厂。

SK海力士正开发新技术AIP以降低NAND制造成本。

据韩媒报道，SK海力士正在开发名为“AIP（All-In-Plug）”的创新技术，以缓解因堆叠层数增加而带来的成本增长。SK海力士此次开发研究的AIP技术可在单次工艺中对超过300层的高密度NAND闪存进行HARC蚀刻，旨在通过一次性蚀刻全部NAND层来显著降低制造成本。如果这项技术应用于实际量产，预计从下一代NAND闪存（例如V11）开始，HARC工艺的数量和成本将显著降低。

三星电子：正在开发 zHBM，其核心是将HBM堆叠成 3D 结构。

据三星电子首席技术官宋载赫透露，公司将继续努力，在下一代 HBM4E 和 HBM5 产品领域占据领先地位。三星正准备开发增强型内存芯片，以满足人工智能领域对高性能产品的需求。随着人工智能从代理人工智能向物理人工智能转变，三星目前正在研发能够降低内存带宽限制的技术，并已获得测试结果，表明在减少 I/O（输入/输出）数量的同时，可以降低功耗。他表示，三星目前正在开发 zHBM，其核心是将 HBM 堆叠成 3D 结构，有望在物理人工智能时代所需的带宽或能源效率方面带来另一项重大创新。

美光CFO：公司已量产并开始向客户交付HBM4，进度较预期提前一个季度。

美光CFO Mark Murphy在Wolfe Research组织的半导体会议上表示，公司已实现HBM4量产，并开始向客户交付。针对近期有关美光HBM4无缘英伟达供应的猜测，美光科技否认三星电子和SK海力士将瓜分HBM4供应量的预期。Mark Murphy进一步表示，美光今年一季度HBM4的出货量正在稳步增长，比去年12月财报发布时提到的时间提前了一个季度。2026年的HBM产量已全部售罄，HBM4的生产良率正按计划进行，其速度超过每秒11Gb。

03

重大技术突破

Major Technological Breakthroughs

英伟达正开发更高端GPU，定位高于现有RTX 5090。

法媒 Overclocking.com 表示，综合其从多个可信消息渠道获取到的情报，英伟达今年将推出一款定位高于 GeForce RTX 5090 的新显卡。报道指出，该型号并非 "50 SUPER" 系列的一员。这款显卡目前处于研发阶段，设计和其它制造流程已然启动，计划在 2026 年第 3 季度初发布。

SK 海力士介绍 AIP 技术：单次蚀刻数百层 3D NAND，有望提效降本。

SK 海力士副总裁이성훈 (Lee Sunghoon) 介绍了该公司正在探索的一系列先进存储技术，其中包括 NAND 端的 AIP (All-in-Plug)。 AIP 技术允许一次性蚀刻 300 层以上，如果其得到实际应用将可大幅减少蚀刻次数，优化成本表现。SK 海力士正朝在 V11 NAND 中导入这项技术的目标迈进。

三星电子公布垂直堆叠 zHBM，宣称定制 cHBM 能效可达标准品 2.8 倍。

三星电子介绍了其 zHBM、cHBM、LPDDR6-PIM 等最新 AI 内存产品项目。目前的 HBM 与 XPU 逻辑芯片的集成采用的是 2.xD 封装：两者在平面上间隔排布，从底部走线。而在 zHBM 中内存堆栈直接放置在 XPU 之上，可实现数以万计的 I/O 通道，大幅提升带宽；同时布局的改动也意味着延迟仅有原来的 1/4，功耗表现也更为出色。三星电子的 cHBM 是在 HBM 堆栈的 Logic Die 内部放置计算单元，这一设计可减少 HBM 与 XPU 间不必要的数据流动，最大化计算效率。根据三星的测算，cHBM 按 Token 吞吐量计算的能效是标准品的 2.8 倍。

04

下游应用

Downstream Applications

英特尔、AMD告知中国客户：CPU供应短缺，交付期长达六个月。

知情人士称，英特尔和AMD已通知中国客户，服务器中央处理器(CPU)供应短缺。英特尔警告称，服务器CPU的交付周期可能长达六个月。据知情人士透露，供应紧张已导致英特尔服务器产品在中国的价格普遍上涨超过10%，但具体价格因客户合同而异。

谷歌母公司 Alphabet 拟发行 200 亿美元债券，为 AI 数据中心筹资。

据彭博社报道，谷歌母公司 Alphabet 计划通过发行美元债券筹集 200 亿美元资金，超出此前 150 亿美元的预期规模。Alphabet 上周表示，今年计划投入高达 1850 亿美元的资本开支，超过过去三年的总和，原因是公司正大力投资对其人工智能战略至关重要的数据中心。

机器人首次拥有时空记忆，阿里达摩院开源具身大脑基模 RynnBrain。

阿里巴巴达摩院发布具身智能大脑基础模型RynnBrain，并一次性开源了包括30B MoE在内的7个全系列模型。该模型首次为机器人引入时空记忆与物理空间推理能力，使其能够在执行任务过程中记录并回溯历史状态，并在被打断后恢复先前工作场景。举例来说，运行RynnBrain模型的机器人，在执行A任务中被突然打断要求先做B任务，它能记住A任务的时间和空间状态，等完成B后继续工作。

亚马逊 2025 全年营收同比增长 12%，预计今年资本支出达 2000 亿美元。

亚马逊公布了 2025 年第 4 季度与全年的财务数据。2025年亚马逊实现 7169 亿美元营收，同比增长 12%。在 2025Q4 季度，亚马逊营收为 2134 亿美元，同比增长 14%（不计算汇率则为 12%）。亚马逊总裁兼首席执行官 Andy Jassy 表示：预计 2026 年亚马逊将在资本支出方面投入约 2000 亿美元，并期待获得强劲的长期投资回报。

投资超 100 亿美元，Meta 在美国新建 1 吉瓦数据中心。

Meta 宣布，将投资超 100 亿美元，在美国印第安纳州黎巴嫩市建设一座数据中心园区，这也是该公司迄今为止规模最大的人工智能基础设施投资项目之一。该数据中心预计将提供 1 吉瓦的电力，可同时支撑公司的人工智能项目与核心社交媒体业务。据 Meta 数据中心副总裁蕾切尔 · 彼得森介绍，这座数据中心总占地面积达 400 万平方英尺，预计于 2027 年底或 2028 年初投入运营。

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