三星大力投资半导体工艺，286层NAND 制造正在全速前进

来源——AMP实验室

有点着急

韩媒 sisajournal-e 当地时间昨日报道称，三星电子正积极推进现有较旧 NAND 闪存生产设施向目前最先进的第九代 V-NAND（IT之家注：286 层）转换。

报道指出，三星目前正为其韩国平泽 P1 晶圆厂的 NAND 产能从 V6 更新至 V9 进行设备投资，并考虑将中国西安 X2 晶圆厂从目前的 V7 / V8 升级至 V9，旨在应对 AI 服务器对高容量 QLC 企业级 SSD 需求短暂低潮后的复苏。

不过，三星电子放缓了下一代 400+ 层 NAND 闪存工艺 V10 的量产进度，这与超低温蚀刻技术导入遇阻有关，可能导致 V10 NAND 量产线的投资建设计划延至 2026 年上半年。

AI、云计算等新兴技术的蓬勃发展，数据量呈爆发式增长，对高性能、高密度的NAND闪存需求激增。286层NAND闪存能够提供更高的存储密度和更大的总存储容量，更好地满足数据中心、企业级服务器等对大容量、高性能存储的需求。

而对于我们一般消费者，286层NAND闪存的单位存储密度更高，这将促使消费级存储设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等的存储容量进一步提升。未来，大容量存储设备将更加普及，消费者能够以更低的价格获得更大容量的存储产品，满足其存储高清视频、大型游戏、专业软件等需求。