英特尔与软银合作开发HBM替代品，旨在将功耗降低50%

软银、英特尔以及东京大学三方联合成立了下一代半导体存储器开发公司Saimemory，这家新公司专注于为人工智能应用开发先进的堆叠式DRAM内存芯片，这些芯片的功耗将比现有的高带宽存储器（HBM）解决方案降低50%，并大幅降低成本。。

据报道，Saimemory这一名称结合了日语“才（才能）”和物理单位“SI（赛）”，象征着尖端技术与日本知识资产的融合。新公司将在7月正式运营，目标在2027年完成原型开发，并对量产可行性进行评估，最终希望在本世纪末之前实现商业化。

软银将出资约30亿日元，占据67%的股份，成为控股股东并主导公司经营，还将派遣首席财务官（CFO），深度参与从事业战略制定到执行的全过程。英特尔和东京大学则在技术层面发挥核心作用。英特尔将派遣首席技术官（CTO），东京大学将派遣首席科学官（CSO），共同构建经营、技术与研究的“三位一体”体制。

目前，大多数人工智能处理器都使用HBM芯片，这种芯片非常适合临时存储人工智能GPU处理的海量数据。然而，HBM芯片的制造工艺复杂且成本较高，而且在运行过程中容易发热，功耗也相对较大。为了解决这些问题，Saimemory计划通过堆叠 DRAM芯片，并探索一种更高效的布线方式，从而将堆叠式DRAM芯片的功耗降低至类似HBM芯片的一半。

如果这一合作项目取得成功，软银表示将优先获得这些芯片的供应权。目前，全球只有三星、SK海力士和美光3家公司能够生产最新的HBM芯片。随着人工智能芯片需求的不断增长，HBM芯片的供应变得愈发紧张。因此，Saimemory希望通过推出这种替代品来抢占市场份额，尤其是在日本的数据中心市场。这也将是日本在20多年来首次尝试重新成为主要的存储芯片供应商。在20世纪80年代，日本公司在全球存储芯片市场占据主导地位，生产了约70%的全球供应量。然而，随着韩国和中国台湾地区竞争对手的崛起，许多日本存储芯片制造商逐渐退出了市场。

值得注意的是，这并非半导体公司首次尝试开发3D堆叠式DRAM技术。三星早在去年就已宣布计划开发3D和堆叠式DRAM，另一家公司NEO Semiconductor也在开发3D X-DRAM。然而，这些公司的目标主要是扩大单个芯片的容量，计划将内存模块的容量提升至512GB。相比之下，Saimemory的目标则更为明确，专注于降低功耗。随着人工智能技术的快速发展，数据中心的功耗逐年增加，因此降低功耗成为了数据中心的迫切需求。