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PSMC将与英特尔及软银展开合作，加入到ZAM内存项目
2026-03-16 22:02:46
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本月初英特尔宣布，将与软银子公司SAIMEMORY合作，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术。英特尔和软银表示，双方将聚焦下一代DRAM技术，以支持人工智能（AI）和高性能计算（HPC）日益增长的需求。随后英特尔展示了ZAM原型设计，并介绍了新款内存未来的发展方向。
据TrendForce报道，PSMC力积电已经与英特尔及软银在ZAM内存项目展开合作，承担起试点生产和制造的关键角色。这一跨境合作可能让中国台湾首次真正进入关键的人工智能（AI）存储器市场，打破三星、SK海力士和美光长期垄断的局面。
这次PSMC力积电、英特尔和软银子公司SAIMEMORY三方的分工十分明确，软银子公司SAIMEMORY负责设计和知识产权管理，英特尔贡献了堆栈和内存架构的专业知识，PSMC力积电承担起制造工作。预计原型设计会在2027年之前完成，商业化量产目标定在2029年。
根据英特尔的介绍，ZAM的核心在于Z-Angle架构，有别于现有HBM硅通孔（TSV）的连接方式，其采用了交错互联拓扑结构，即在芯片堆叠内部以对角线方式进行连接，而非直接垂直钻孔。如果将ZAM与HBM相比较，可能的提升包括：
功耗降低40%至50%
通过Z-Angle架构简化制造流程
每芯片存储容量更高（可达512GB）
英特尔称，ZAM技术上相比现有解决方案最大的优势在于其热管理能力。
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