三星宣布成功将 EUV 工艺用于 DRAM 颗粒,即将大规模量产
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三星于近日宣布,已经成功将EUV(极紫外光刻)工艺率先用到了DRAM内存颗粒的生产中。目前已经出货的100万个使用该技术的10nm DDR4 DRAM已经完成了全球客户的评估,计划在今年下半年开始在韩国平泽市建立第二条半导体生产线,专门生产10nm EUV DRAM芯片。
按照三星方面的介绍,之所以将EUV工艺应用在DRAM芯片,是因为该技术不仅能提高DRAM芯片的性能,还对产量有着不少的帮助。三星计划为10nm DRAM或高端14nm DRAM导入EUV工艺,明年开始大规模量产基于10nm DRAM的DDR5和LPDDR5 DRAM芯片,以满足客户的需求。
除三星之外,早前英特尔和台积电等半导体巨头也表示准备扩大EUV工艺在芯片生产中的应用。或许在未来,我们将会看到更多的终端设备使用上使用EUV工艺的DRAM芯片。