三星HBM4研发完成，量产只待英伟达点头

据韩国媒体与业界消息，三星已率先完成第六代HBM（HBM4）芯片的研发，目前处于最终“量产前”阶段。三星Device Solutions部门已拿到内部“生产就绪批准”（PRA），这是全面放量前的最后一道关卡。

HBM4带宽预计比现役HBM3E提升约60%。三星已向英伟达送出样品，供其即将推出的Rubin平台评估；初批样品速率已超英伟达下代GPU要求的11 Gbps/引脚。新方案采用改进版1c级DRAM与4 nm逻辑基片，兼顾性能、功耗与散热，有望进一步缩小与对手的差距。只要英伟达点头，三星即可立即启动量产，产线已就位。

三星早在2025年10月30日的Q3财报会上就透露，HBM4样品已发给全球客户，计划2026年量产。公司当时表示，“HBM3E正全面量产并交付所有相关客户，同时HBM4样品也在向关键客户送样”。三星还确认，其晶圆代工部门将在2026年优先确保2 nm GAA稳定产出及HBM4基片生产。据称，三星还在开发更快的HBM4变种，目标再提40%性能，最早2026年2月中旬发布。