AMD内存专利引发关注：或已被更新的MRDIMM取代，仅停留在早期工作

据TomsHardware报道，AMD最近有一项题为“高带宽内存模块架构”的专利流出，再次引起了大家的关注，猜测是否在准备新的HB-DIMM内存模块。不过事实可能相反，AMD并没有准备任何新的东西，新专利实际上是2022年旧专利的延续，其中概述的技术已经被更新的MRDIMM内存模块所取代，并由AMD提供了技术支持。

最初的专利为“US12300346B2”，2023年被“US20230178121A1”所取代，这是7月公布的新文件所扩展的具体文件。换句话说，这并非一项新技术。根据介绍，这种内存能在单个模块内通过“两个或多个独立可寻址伪通道”执行多路访问。这些伪通道不一定与内存通道相对应，而是模块内的独立分区，既可存在于单个通道内，也可跨通道分布。

这种做法能够让标准DDR5的有效传输速率提高一倍，尽管需要带有额外的新组件，包括额外的数据缓冲器和RCD，这意味着HB-DIMM将取代标准的RDIMM和CUDIMM两种内存模块。

有类似想法的不只有AMD，SK海力士与英特尔、瑞萨电子等合作，在2022年末提出了MCRDIMM解决方案，但是在此之前AMD已经申请了HB-DIMM专利，只是没有公开。同时存在两个相互竞争、互不兼容的标准对于行业来说会有极大的影响，所以JEDEC选择将HB-DIMM和MCRDIMM这两个标准结合起来，提供了MRDIMM技术。

既然AMD已经表明会支持MRDIMM，用于下一代基于Zen 6系列架构的EPYC“Venice”处理器，那么新的专利文件出现不代表AMD会继续追求HB-DIMM这种非常相似的技术，很有可能HB-DIMM的相关工作仅停留在早期阶段。

另外在去年，美光就宣布DDR5 MRDIMM已经出样了。

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