SK海力士HBM4E实现33%晶粒密度提升，记忆体频宽增加38%

英伟达与AMD今年都将采用HBM4来驱动其最新的AI数据中心GPU。无论是Rubin系列还是MI400系列都搭载了庞大的规格，而它们所采用的HBM解决方案正是其中最大的创新之一。

升级到HBM4在频宽、密度和效率方面带来了显著改进，但即便具备所有这些先进特性，记忆体仍然不够，市场还需要更大的容量与更高的频宽。

因此在Computex 2026上，SK 海力士预览了即将推出的HBM4E记忆体晶粒。新方案具备32Gb密度，较HBM4提升33%。凭借这样的密度，只需12-Hi堆叠就能达到HBM4以16-Hi堆叠才能实现的相同48 GB容量。不仅如此，HBM4E的速度也更快，针脚速度高达16 Gbps，较HBM4提升37%，将记忆体频宽推升至创纪录的4 TB/s。

对于HBM4E而言，主要亮点就是记忆体频宽与晶粒密度。SK海力士已经通过展示样品，在HBM4E的生产上率先领跑，我们将于明年推出的NVIDIA Rubin Ultra GPU上看到这款记忆体的首次应用。Rubin的继任者将采用更密集的设计，将多颗GPU与HBM4E小晶粒整合在单一封装中，实现AI性能创纪录的飞跃。

英伟达CEO黄仁勋不但参观了SK海力士在Computex 2026的摊位，还在现场展示的一块HBM4E晶圆上写下了 "Please Make More"（请多生产一点）。并与SK集团会长崔泰源连续两天会面，双方持续深化在人工智能领域的合作关系。

SK海力士也正着手开发下一代堆叠式NAND方案，采用类似HBM的设计，透过TSV（硅通孔）将多颗NAND晶粒堆叠在一起。这项技术目标在于提供媲美HBM的传输量，同时具备SSD等级的容量。此技术与HBF和Z-Angle的做法类似，有助于解决当前科技产业中记忆体供需缺口吃紧的问题。

除了HBM DRAM之外，SK海力士也展示了其最新的客户端产品，例如基于1cnm制程技术的首款96 GB LPCAMM2模组。这款LPCAMM2模组传输速率最高可达9.6 Gbps，采用LPDDR5X标准，预计将于今年稍晚推出，供"AI PC"平台使用。

SK海力士也正在研发广泛的NAND技术，例如其V9 NAND，提供QLC和TLC两种版本，在cSSD尺寸规格下可提供最高2 TB的储存容量。这些SSD非常适合小型化设计，以无DRAM的方式实现高能源效率。