全新酷睿Ultra 7 265K首发评测篇三：内存超频篇

在上一篇文章中测试了酷睿Ultra 7 265K的主频超频能力，最终发现全核心5.5GHz+5.0GHz是360AIO散热条件下，265K常规体质下能达到的上限频率，更高的散热以及更好的体质可以让P核或E核再+0.1GHz。这篇主要来分享一下关于内存方面的超频经验分享。

一、内存超频介绍

由于这一代Arrow Lake的架构设计变化，Intel将CPU的内存控制器移动到了SOC模块当中，这一改动对比13代、14代酷睿处理器会产生一系列在内存与超频操作相关的变动。

首先就是内存延迟，由于内存控制器没有与计算模块放置在一起，导致计算模块需要跨Die访问内存控制器，这势必会导致内存延迟增加。

其次由于内存控制器放置在SOC模块上的变动，导致内存超频相关的电压与可调整的频率变得更多了，新增了如SOC电压、VAANON电压、D2D频率、NGU频率等。

并且由于酷睿Ultra 200S系列支持了CUDIMM内存，与传统UDIMM的超频肯定会有所不同，并且在前几代让大家敬而远之的Gear4模式也可以一试了。

说到这里大家可能会认为酷睿Ultra 200S系列的内存超频变得更加复杂了，但经过实测，实际这些电压都没有太大的影响，甚至SA电压、VDD电压（华硕：IMC电压）并没有上一代要求抓取得那么精准。

二、测试平台

CPU：Intel Core Ultra 7 265K

主板：ROG MAXIMUS Z890 APEX（BIOS版本：1001）

显卡：铭瑄（MAXSUN）GeForce RTX4080 MGG OC16G

散热：瓦尔基里（VALKYRIE）B360W 一体式CPU水冷散热器

内存：芝奇（G.SKILL）48GB(24Gx2) DDR5 7200C36

机箱：联力（LIANLI）L216R

系统：Windows 11 24H2（Build：26100.2161）

三、内存超频实战

首先可以对D2D和NGU频率进行调整，D2D频率就是各个模块之间的通讯频率。D2D和NGU的频率与SA电压、VAANON电压相关。D2D和NGU频率基本盘在3200mhz上下，极限在4000mhz和3600mhz左右，边际效应比较明显，不必强行追求极限。在skatterbencher.com提供的超频指南中提到：NGU性能提升并不惊人，因为将频率从 2.6 GHz 提高到 3.5 GHz 只能使 Y-Cruncher 2.5B 得分提高 1%。但是，将频率降低到 1.5 GHz 会使性能降低约 6%。

这一代的内存超频基本盘由上一代的8000MT/s上下，提升至目前的8400MT/s上下。这是普通玩家仅开启XMP就可以达成的速率，四内存插槽主板的瓶颈大约在Gear2 8600MT/s，双槽在Gear2 9000MT/s。再高则需要更好的CPU IMC体质以及非常规散热方式了。如果想要冲击高频，最好选择海力士mdie颗粒的内存，相对而言海力士adie颗粒想达成8800MT/s以上的频率难度还是比较大的。

并且如果想冲击Gear4的高频，一对体质过关的CUDIMM内存条是必不可少的。

我手中的这颗酷睿Ultra 7 265K可以做到电压全Auto下，Gear2模式8933MT/S 42-54达成MT100%过测，此时可以看到主板自动给的SA电压仅有1.38V，MCV电压为1.53V。但因为没有调整小参，读取速率130+GB/s，但写入和复制仅由100GB/s和110GB/s，延迟也有71ns。