独一无二两条腿走路！铠侠BiCS 9/10闪存双轨驱动，领跑AI新时代

AI推理时代，“算力”已经不是首要问题，“存力”的重要性愈发凸显，NAND闪存和SSD固态硬盘的价值潜力正在被尽情释放，无论容量还是性能都迫切需要大幅提升。

眼下正是存储行业的超级上行周期，预计仍会持续很长一段时间。

铠侠就预测，2026-2028年间，NAND闪存的年出货容量复合增长率将有22%，其中数据中心领域更是高达46%。

但无论是火爆的当下，还是回归下行周期的未来，真正推动存储技术进步、巩固闪存厂商定位的，从来不止是行情外因，最根本的还是强化内因，只有不断进行技术革新，方能始终站在时代的潮头上。

作为NAND闪存的先驱，铠侠对于未来有着自己独特的思考和路线，如今更是独创了“双轨驱动”：

在成熟的BiCS 8（第八代闪存）基础上，铠侠同时打造了BiCS 9、BiCS 10，并行发展，以兼顾不同市场的差异化需求。

同时，铠侠还在坚持继续打磨XL-FLASH存储级闪存，更能顺应AI时代的极致需求。

【BiCS 9：新老搭配 降本增效】

按照一般思路，新一代技术都是老一代技术的继续强化提升，比如闪存就要更先进工艺、更多堆叠层、更高单元密度、更大容量等等。

但是，BiCS 9和BiCS 8的关系却不是这样，它被定位成铠侠双轨驱动策略中的“降本轨”。

BiCS 9的目标是用相对低的资本和研发投入，实现更高的性能，满足那些对产能、可靠性、成本都非常敏感的市场，比如智能手机、平板机、主流消费级SSD、嵌入式UFS等等。

基于BiCS 8首次引入的双晶圆键合（CBA）架构，存储与逻辑解耦，BiCS 9采取了颇为不寻常的“新旧搭配”设计思路，其中新的是控制电路这个“大脑”，旧的是存储阵列这个“身体”。

控制电路部分，BiCS 9升级到新的CMOS工艺，并支持新一代Toggle DDR6.0协议，因此I/O接口速度提高到了3.6Gbps（演示条件下最高可达4.8Gbps）。

存储阵列部分，BiCS 9初期复用非常成熟的BiCS 5 112层堆叠工艺，后期则会升级到230层堆叠，与BiCS 8 218层非常接近。

这充分体现了铠侠CBA架构的最大优势：无需开辟新的存储阵列晶圆生产线，只需单独升级CMOS晶圆，新旧结合就能实现升级换血，还能有效控制成本。

BiCS 9闪存计划在今年内全面投入量产。

首款产品为512Gb TLC颗粒，新的CMOS工艺搭配112层阵列，此前已经出样。

对比BiCS 6 512Gb TLC颗粒，它的读写性能分别提升了12%、61%，读写能效也分别提升了27%、36%，而在存储阵列基本不变的情况下，仍然通过横向缩放技术将位密度提升了8%。

第二款产品1Tb TLC颗粒再次进行了升级，CMOS工艺与BiCS 10完全相同，搭配230层阵列，接口速率4.8Gbps，已于7月底送样。

它的性能、能效、密度都会再次提升，但具体指标暂未公布。

当然，BiCS 9后期也会有QLC颗粒产品，预计单颗容量1Tb起步。

【BiCS 10：全面升级 4.8Gbps接口＋332层堆叠】

相比于BiCS 9的新老结合，BiCS 10则是CMOS工艺和存储阵列的全方位升级，定位为铠侠双轨驱动策略中的”性能轨”。

它主要面向超大容量、极致性能的企业级与数据中心SSD，被铠侠视为面向AI时代存储的拳头产品线。

BiCS 10一方面升级CMOS工艺，全面采用Toggle DDR 6.0接口标准、SCA（独立命令地址）协议、PI-LTT低功耗技术，推动接口速率达到业界领先的4800MT/s，对比BiCS 8 3.6Gbps提升足足33%。

其中，SCA将传统的命令地址总线、数据总线物理分开，可以并行工作；PI-LTT引入独立隔离低压电源域，可解决4.8Gbps高速接口下的发热问题。

另一方面升级存储阵列，可堆叠332层，对比BiCS 8的218层增加了足足约52%，延续CBA+OPS（节距选通）技术组合。

其中，OPS可以移除存储单元阵列之间的大部分Dummy无效区域，提升存储密度。

根据铠侠官方数据，BiCS 10的存储位密度对比BiCS 8可提升最多达59%，其中1Tb TLC颗粒超过每平方毫米29Gb，QLC颗粒更是超过每平方毫米37Gb。

同时，数据读取吞吐量提升10%，写入吞吐量提升15%；数据输入功耗降低10%，输出功耗降低34%；读取能效提升30%，写入能效提升18%。

基于BiCS 10架构的1Tb TLC版本早在2025年2月的ISSCC（国际固态电路会议）上联合闪迪正式公布，今年7月初开始出货样品，由位于日本岩手县北上市的K2工厂制造。

QLC版本于今年8月初的FMS（全球闪存峰会）期间公布，是业界首款接口速率达4.8Gbps的QLC 3D闪存。

铠侠曾将BiCS 10的量产列为2026财年（即日历年2026年4月—2027年3月）的首要战略重点，但是今年5月有业内消息称，量产计划已推迟至2027年，具体细节暂时不详，可能会在今年下半年逐步明朗。

【XL-FLASH：逐步逼近DRAM、明年冲击亿级IOPS】

XL-FLASH并非全新存储介质，而是铠侠基于BiCS 3D NAND闪存架构，深度重构、优化的存储级内存（SCM）技术，既有接近内存的亚微秒级低延迟和超高IOPS性能，又有闪存的非易失性。

它的定位于填补DRAM内存与普通NAND闪存之间的性能与成本缺口，主要面向AI推理、高频交易、内存扩展等高性能场景。

不同于Intel已经停产的傲腾技术，铠侠XL-FLASH完全基于成熟NAND制造工艺，因此成本与供应链更加可控。

XL-FLASH走的是“架构优先、工艺配套”的迭代路线，性能持续向DRAM内存逼近，目前已完成两代量产落地，第三代正在研发阶段。

第一代发布于2019年，基于96层堆叠BiCS 4改造而来，采用16平面架构（普通NAND 2-4平面）、4KB页大小（普通NAND 16/32KB），搭配专用外围电路。

SLC模式下单Die容量128Gb，读取延迟小于5微秒，约为当时TLC的1/10，主要用于工控、嵌入式等需要低延迟的场景。

第二代发布于2022年，基于优化版的BiCS工艺，SLC模式单Die容量依然是128Gb，同时新增MLC模式，单Die容量翻倍至256Gb，成本显著下降。

相比普通的TLC 3D NAND，随机读取延迟降至1/8~1/10的水平，单位功耗IOPS读写性能（IOPS/W）则大幅提升35~40倍。

目前正在大规模量产，单颗容量64/128GB，是铠侠高端企业级SSD的核心介质，落地产品有两款：

一是GP1系列，业界首款针对GPU直接访问优化的超高IOPS PCIe SSD，配合NVIDIA Storage-Next倡议，让GPU把闪存当作HBM的扩展层来使用。

目前，该产品已经将512B随机读取性能做到1000万IOPS，耐久度则做到50 DWPD（每天50次全盘写入），并支持PCIe 6.0接口、NVMe 2.2协议，以及冷板液冷散热，而功耗不超过25W。

预计2026年底向客户送样。

二是XL1，CXL内存扩展模块产品，可以把访问频率较低的数据，从DRAM内存中卸载到此模块上。

这样就可以大幅提升服务器内存的利用率，以远低于内存的成本实现内存容量弹性扩展，弥合DRAM与SSD之间的性能和成本差距。

2026年8月起，XL1已开始向生态伙伴出样。

第三代XL-FLASH正在研发中，预计512B随机读取性能达到1亿IOPS级别，进一步缩小与DRAM的性能差距，并原生适配PCIe 7.0、CXL 互连协议。

对比第二代，读取延迟可以再降低80%以上，单位功耗IOPS性能再提升约2.5倍。

预计2027年落地，可用于AI大模型推理的GPU存储扩展、CXL内存池、超低延迟高频交易系统等。

【BiCS 8与LC9：全球第一个245.76TB SSD】

上边说的第九/十代BiCS、第三代XL-FLASH，都是面向未来的产品，而回到当下，铠侠的主力还是第八代BiCS。

BiCS 8通过升级垂直堆叠工艺、首次引入CBA双晶圆键合技术和高温工艺、首次引入OPS技术，一举堆叠到了218层，对比BiCS 5几乎翻番，同时接口速度达3.6Gbps。

无论TLC还是QLC，BiCS 8都在2xx层闪存架构中创下了行业最高密度记录，比如1Tb TLC达到了每平方毫米18.3Gb，对比BiCS 5提升约2.3倍。

同时，BiCS 8 TLC/QLC单颗封装尺寸仅为11.5×13.5毫米，比传统封装针脚更多，但面积分别小了最多38％。

正是凭借如此高的密度、小巧的封装尺寸，铠侠利用BiCS 8打造出了迄今最大容量的企业级。

铠侠LC9系列早在2025年3月就做到了122.88TB，世界第二。

随后在当年7月，LC9系列升级全球第一次做到245.76TB（E3.L形态），四块就接近1PB，首次采用2Tb QLC颗粒，并首创单芯片封装32个Die。

它支持PCIe 5.0、NVMe 2.0，最高顺序读取速度12GB/s，最高随机读取速度100万IOPS。

铠侠LC9系列专门面向生成式AI环境打造，主打以高密度QLC闪存替代HDD，解决数据湖、AI训练与推理、RAG向量数据库等场景对于”海量存储+高速吞吐”的双重需求。

比如数据湖存储中，它支持海量数据注入与快速处理，避免HDD成为性能瓶颈、导致昂贵的GPU资源闲置浪费；AI训练中，它可以保存大模型训练所需的海量数据集；AI推理/RAG数据库中，它可以为检索增强生成构建嵌入式数据与向量数据库。

经过技术演进，QLC SSD的耐久性已经远超HDD，因此企业只要一块铠侠LC9系列，就可以替代多块高功耗的HDD，从而减少空间占用，降低功耗，提升散热效率，最终显著降低TCO。

目前，200+TB的超大容量SSD已经成为各家冲击的新焦点，闪迪的UltraQLC也利用BiCS 8闪存做到了256TB，还有美光的245TB、三星的256TB，以及Pure Storage的300TB，都在争先恐后，而铠侠凭借雄厚的技术实力，无疑抢在了最前头。

【结语】

铠侠BiCS 8依靠创新的CBA双晶圆键合等技术，以相对克制的218层堆叠，达成了每平方毫米18.3Gb的全球领先存储密度，还抢先造就了245.76TB超大容量SSD，掀起了全面替代HDD的新浪潮。

未来，BiCS 8还将继续挖掘潜力，不断衍生出更多优秀产品。

而在BiCS 8的扎实基础之上，铠侠更是跳出了NAND闪存行业的发展惯例，摆脱了单一闪存架构难以兼顾不同市场的顽疾，创新发展出了BiCS 9/10两条腿走路的双轨驱动战略。

这样，既可以满足尖端存储应用的高级需求，同时也能向市场推出具有竞争力的产品，从而全方位保证最佳投资效率。

同时，铠侠坚持基于成熟的闪存架构和工艺，重构推进SCM存储级内存技术XL-FLASH，在如今的AI浪潮下更是如鱼得水，恰如其分地填补DRAM、NAND之间的空缺，构建更完美的存储层级。

这，才是创新企业的标杆！