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SK加速推进NAND闪存引入混合键合技术：300层起步，目标2027年量产
2025-12-08 22:02:43
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去年11月，SK海力士宣布量产当时全球最高的321层1Tb TLC 4D NAND闪存，相比上一代238层NAND闪存，数据传输速度和读取性能分别提高了12%和13%，并且数据读取能效也提高10%以上。今年8月，SK海力士宣布已开发出321层2Tb QLC NAND闪存产品，计划2026年下半年开始出货，并进一步扩大销售。
据TrendForce报道，SK海力士的产品线里，DRAM优先级一直高于NAND闪存。不过随着主要云服务供应商的存储需求激增，对QLC SSD的需求持续上升，SK海力士也希望加速进军NAND闪存市场，目前正在推进引入混合键合技术，开发第10代 (V10) NAND闪存，层数预计在300层起步，甚至更多。
第10代NAND闪存最突出特点就是SK海力士首次部署混合键合技术，这是一种将两个半导体晶圆连接在一起的工艺，使它们成为一个单一的单元。在上一代 (V9) 321层NAND闪存，SK海力士是将外围电路放在晶圆的底部，然后单元堆叠在上面。
不过以往的这种方式随着堆叠层数的增加，风险也变得更大，混合键合技术可以很好地解决这一问题，甚至可以缩短生产时间。虽然过去业界普遍认为SK海力士要到400层堆叠才引入混合键合技术，不过为了尽早实现商业化，SK海力士决定在300层堆叠阶段就应用新技术。
此外，SK海力士还打算扩大现有第9代NAND闪存的产品，随着eSSD需求暴涨，工厂已接近满负荷生产。
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