联发科首款台积电2nm旗舰SoC流片成功，2026年量产

联发科今日宣布，其首款基于台积电 2nm 制程工艺的旗舰级 SoC 已顺利完成设计流片（Tape out），成为首批采用该工艺的厂商之一。这款芯片预计将在 2026 年底实现量产并推向市场。

尽管官方尚未透露该芯片的具体型号，但从产品开发节奏和市场定位来看，这款芯片极有可能是天玑 9 系列的新一代旗舰产品，即传闻中的天玑 9600。

台积电此次推出的 2nm 制程首次引入了纳米片（Nanosheet）晶体管结构，据称在性能、能效和制造良率方面都有显著提升。联发科方面指出，与现有的 N3E 工艺相比，台积电改良后的 2nm 制程逻辑密度提升了 1.2 倍，在相同功耗下性能可提高 18%，而在相同频率下功耗则可降低约 36%。

该芯片的推出将为高端移动平台带来更强的性能表现和更出色的能效控制，未来相关进展值得关注。

作者：散落的星星沙