存储四十年，一场没有终点的长跑

1986年，日本半导体产业站上世界之巅。

那一年，日本DRAM全球市场份额超过80%，NEC、东芝、日立、富士通、三菱五家日本公司包揽了全球半导体排行榜前十中的五席。美国硅谷的英特尔被逼到墙角，安迪·格鲁夫在办公室里问戈登·摩尔：“如果我们被踢出董事会，新来的CEO会做什么？”答案是：退出DRAM业务。英特尔从此转型CPU，再也没有回头。

那是存储行业四十年长跑的起点。从那一天起，这场长跑就没有停过。赛道上的领跑者换了一茬又一茬，但没有人能一直留在最前面。

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日本：从巅峰到退场

1980年代的日本存储产业，几乎是不可战胜的。

凭借大规模投资、精益制造和举国体制的产业政策，日本企业在DRAM领域建立起了碾压式的优势。1985年，东芝率先研发出1MB容量的DRAM，成为当时世界上容量最大的存储芯片。日本厂商用价格战和产能扩张把美国竞争对手一个个挤出市场。英特尔退了，摩托罗拉退了，德州仪器也退了。

但巅峰之后，是漫长的下坡。

1990年代，韩国三星以“逆周期投资”策略杀入DRAM市场。当行业进入低谷、日本厂商缩减资本开支时，三星反而大举扩产，用规模效应把成本压到最低。1992年，三星成为全球最大的DRAM制造商。1993年，成为全球最大的存储芯片制造商。此后三十多年间，三星连续占据DRAM市场领先地位。

日本企业则一步步退守。NEC把存储业务剥离，日立和三菱的存储部门合并成立尔必达，东芝的存储业务后来被出售给贝恩资本。尔必达在2012年破产，被美光收购。日本在DRAM领域的辉煌，成了教科书里的案例。

从巅峰到退场，日本用了不到三十年。

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韩国：接棒者的三十年霸权

三星的崛起，是存储行业最经典的“逆周期投资”样本。

1993年，三星大胆投资兴建8英寸硅片生产线来生产DRAM。当时全球6英寸硅片还是市场主流，三星的“逆周期投资”让它在工艺上遥遥领先。1997年亚洲金融危机，三星再次逆势扩产，进一步巩固了霸主地位。进入2000年代后，三星又在NAND闪存市场不断扩大影响力。2013年，三星推出采用垂直堆叠方式的24层V-NAND，开启了3D NAND时代。

此后的三十年，三星、SK海力士、美光三巨头牢牢把控着全球DRAM和NAND市场。三家公司合计占据全球超过95%的DRAM市场和绝大部分NAND市场。行业从“多强混战”变成了“寡头垄断”。

寡头格局带来了一个意想不到的后果：周期性没有消失，但波动的形态变了。

在“多强混战”的年代，价格一旦下跌，大量厂商破产退出，产能快速出清，下一轮涨价来得很快。但在“寡头垄断”的年代，三大巨头有足够的资本和默契来“管理”周期。价格下跌时，它们会主动减产、控制资本开支，而不是等到破产才退出。这让每一轮周期的底部更深、复苏更慢，但顶部更高、持续更长。

存储行业的“钟摆”，摆动的幅度越来越大。

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中国：从零到双雄

2016年，中国存储产业迎来了真正的起点。

那一年，长鑫存储（DRAM）和长江存储（3D NAND）相继成立。同年，国家存储器基地落地武汉光谷。中国在存储芯片领域几乎没有技术积累，更谈不上产能。但在接下来的十年里，长鑫和长江用“跳代研发”的策略，快速追上了国际主流水平。

长鑫从破产的德国奇梦达公司引进基础专利，结合自主研发进行迭代优化。2019年推出首颗自主设计的8Gb DDR4芯片，实现了中国DRAM产业“从0到1”的突破。此后采取“跳代研发”策略，快速完成从第一代到第四代工艺平台的量产，实现DDR5、LPDDR5/5X等产品的覆盖。2026年，长鑫第五代DRAM工艺平台量产，用DUV四重曝光做到了11.95纳米的有源区半间距。

长江存储同样在2019年取得突破，完成了首个纯国产32层3D NAND的研发。此后迭代速度逐年加快——64层、128层相继量产。2022年，基于自研Xtacking架构的232层闪存正式推出，首次在堆叠层数上超越国际对手。

到2026年，长鑫在全球DRAM市场的营收份额从3%升至10%，排名全球第四。长江存储在全球NAND市场的份额突破14%，首次进入全球前三。

从2016年到2026年，中国用十年时间，从零起步做到了全球DRAM第四、NAND前三。这个速度，超过了日本当年追赶美国的节奏，也超过了韩国当年追赶日本的节奏。

但故事到这里，只是长跑的上半程。

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这一次，终点不见了

2026年10月1日，美光科技交出了2026财年第四财季的成绩单。营收542.3亿美元，同比增长379%；数据中心业务营收180亿美元，同比增长1042%。

但比数字更值得关注的，是美光CEO桑杰·梅赫罗特拉在财报电话会上的那句话。他说，美光目前已签署26项长期协议，锁定约1500亿美元长期订单，2027和2028年存储市场供需将比2026年更为紧缺，且“看不到供需恢复平衡的尽头”。

一家存储巨头的一号位，用“看不到尽头”来形容行业供需失衡的持续时间。这句话的分量，比任何财务数据都更重。

存储行业四十年，从来都是“三年一轮回”——涨价、扩产、过剩、暴跌、出清、再涨价。每一轮周期的终点都清晰可见，因为供给端会在价格高企时加速扩产，需求端会在价格高企时收缩。供需的钟摆迟早会摆回来。

但这一次，钟摆似乎卡住了。

原因有三层。

第一层，HBM吃掉了DRAM的“余粮”。 三星电子执行副总裁Kim Taewoo在9月底给出了一个关键数字：HBM预计将在2027年占据全球DRAM晶圆总产能的近30%，目前这一比例约为20%。10个百分点的提升看起来不大，但HBM的晶圆消耗效率是传统DRAM的三倍。TrendForce的测算显示，到2027年底，三大HBM供应商的晶圆投入将占DRAM晶圆总投入的约30%，但按存储容量计，仅能贡献约13%的DRAM总供应量。

第二层，长协锁死了供给弹性。 传统存储周期的调节机制是“价格——供给”的负反馈。价格涨了，原厂扩产，供给增加，价格回落。但这套机制有一个前提：现货市场是主要的交易场所。长协正在取代现货，成为存储交易的主导形式。美光签署的26项战略客户协议锁定了约1500亿美元长期订单，非流动客户合同负债从上一季度末的5.68亿美元激增至128.95亿美元。当产能被长协提前锁定，现货市场的供给弹性就消失了。

第三层，消费级存储被“被动牺牲”。 美光第四财季四大业务全线增长，但增长幅度差异巨大。核心数据中心业务营收180亿美元，同比增长1042%；移动与客户端业务营收131.1亿美元，同比增长249%。数据中心和云端业务是AI需求的核心受益者，消费电子客户的处境，更像是“以更高的价格买到更少的货”。TrendForce预计2026年企业级SSD位元需求年增突破80%，消费级存储的供给收缩，不是“短期行为”，是“理性选择”下的长期趋势。

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没有终点的长跑

存储行业四十年，从日本到韩国，从韩国到中国，领跑者一直在换，但长跑从未停止。

过去，每一轮周期都有终点。价格涨到某个位置，需求会收缩；产能扩到某个程度，供给会过剩；泡沫吹到某个极限，市场会出清。终点是确定的，不确定的只是到达终点的时间。

但现在，终点不见了。

HBM持续吞噬DRAM产能，长协锁死了供给弹性，消费级市场被系统性地边缘化。存储行业的“周期性”正在被“结构性短缺”取代。新增产能能解决问题吗？SEMI的数据显示，全球DRAM产能到2030年的年增长率仅为4.8%，而四大云服务商在AI基础设施上的支出年增长率达到约38%。供给增速赶不上需求增速，这个缺口不是靠“扩产”能弥合的。

美光的542亿和“看不到尽头”，指向同一个结论：存储行业的“正常周期”，可能已经结束了。

但这不等于长跑结束了。长跑还在继续，只是赛道变了。过去的赛道是“谁能造出更便宜的存储”，现在的赛道是“谁能造出更多的HBM”。过去的终点是“价格崩盘后的产能出清”，现在的终点是“AI需求增速何时放缓”——而这个问题的答案，没有人知道。

存储四十年，没有终点的长跑。领跑者还在奔跑，追赶者还在加速。唯一确定的是，这条跑道上不会有人停下来。

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