从N7到A14，台积电称十年间能效提升至原来的4.2倍

据TomsHardware报道，台积电（TSMC）在其欧洲OIP论坛上，讲述了计划2028年推出的A14工艺相比前面历代工艺的优势。

与N2相比，A14在相同功耗条件下，性能提升了16%，在相同频率条件下，功耗降低了27%。为了充分发挥下一代半导体制造技术的潜力，片设计师可能需要使用更智能的电子设计自动化（EDA）工具。

根据台积电的PPT，从2018年的N7到2028年的A14，相同功耗条件下，A14的性能是N7的1.83倍，结合功耗方面的表现，意味着十年时间里，A14的能效提升至N7的4.2倍。台积电表示，每一代制程节点平均能降低约30%的功耗，而性能提升大概在15%至18%之间。

除了半导体制造技术本身的提升外，台积电还通过其他途径提高了设计的功率效率，比如芯片设计师可以使用AI增强的Cadence  Cerebrus AI Studio和Synopsys  DSO。这些工具运用强化学习技术，在制造工艺与布局层面探索更广阔的优化空间，并自动调整设计参数与平面布局，从而提升性能、功耗与面积（PPA）表现。

根据之前的介绍，A14工艺将采用第二代GAA晶体管，并通过NanoFlex  Pro技术进一步提高灵活性。不过首发的A14工艺不支持超级电轨（Super Power  Rail，SPR）架构，也就是背面供电技术，台积电会在2029年带来加入背面供电的版本，满足高性能客户端和数据中心应用的需求。

A14系列的主要优势之一是支持NanoFlex   Pro技术，为芯片设计人员提供了灵活的标准元件，通过微调晶体管配置，以实现特定应用或工作负载的最佳性能、能耗和面积（PPA）指标。即将到来的N2支持的是NanoFlex技术，预计NanoFlex  Pro会带来更精确的控制。

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