三星将混合键合HBM推迟至2029年，与Feynman AI GPU同步推出

英伟达的Feynman AI GPU预计将在Rubin Ultra芯片之后推出，其在今年早些时候的GTC大会上分享了不少相关细节。其中，英伟达透露这些GPU将依赖3D堆叠技术，以英特尔作为封装合作伙伴，并采用定制高带宽内存（HBM）。Feynman的前代产品 Rubin Ultra芯片预计采用HBM4E内存芯片，而最新芯片可能使用HBM5或一种与竞争对手产品差异化的定制变体。

与这些规格一致，最近的一份报告也声称混合键合技术可能从HBM4E内存芯片开始应用，而非更早的代际。现在，来自韩国媒体的报道也提出了类似的说法，并指出三星认为在2029年和2030年实现混合键合的大规模生产将是可行的。

根据细节，三星正在从荷兰BE Semiconductor公司采购50台混合键合设备。由于该公司需要这些设备的改造定制，而BE销售的是现成设备，消息人士指出三星也有兴趣从韩国本土公司采购相关设备。该报道还讨论了定制HBM芯片。报告指出，定制HBM将芯片上的基础裸片替换为客户的逻辑裸片，作为3D系统级封装架构的一部分。

据消息人士称，全面和大规模生产预计将于2029年和2030年启动，与英伟达Feynman芯片进入市场的时间相吻合。