长鑫存储推DDR4低价策略引爆全球DRAM市场博弈

2026年2月4日，全球内存价格持续走高之际，中国DRAM龙头企业长鑫存储宣布一项极具冲击力的定价策略，令本已高度敏感的存储器市场迅速陷入多空激烈博弈。

长鑫存储针对32GB DDR4-3200 ECC内存模组，推出138美元的供应价格。该报价仅为当前国际市场普遍水平300至400美元的三分之一左右，消息一经传出即引发全球产业链震动。

这一低价策略迅速触发市场对行业竞争加剧的担忧，投资者普遍忧虑存储器产业或将重蹈产能过剩、价格战频发的覆辙。此前连续三日呈现回暖态势的内存相关板块当日应声承压，整体走势转弱。

其中，华邦电与南亚科作为DRAM领域重要厂商，股价分别下跌9.05%和5.61%；群联、品安、晶豪科、至上、威刚、宇瞻及华东等企业亦同步下挫，跌幅均超过单日涨跌幅限制的一半，板块情绪明显趋于谨慎。

此次波动深层动因，在于全球存储器市场正经历结构性重塑。伴随人工智能运算需求呈爆发式增长，行业已步入新一轮超级周期。早在2025年底，主流存储产品价格便已大幅攀升，甚至对部分电子终端产品的2026年量产节奏造成实质性影响。

在此背景下，以长鑫存储、长江存储为代表的中国存储制造力量正加快战略部署，全面把握产业窗口期。

长鑫存储扩产步伐尤为突出，已明确将加速推进上海新厂区建设。按规划，该基地建成后规模将达到合肥总部的两至三倍，重点面向服务器、个人电脑及车用电子等高附加值场景的DRAM产品制造。设备安装工作预计于2026年下半年启动，2027年正式投产，届时将显著增强其在全球DRAM供应体系中的分量。

与此同时，国内NAND Flash领军企业长江存储亦同步提速。其位于武汉的三期项目原定于2027年实现量产，现有望提前至2026年下半年启动。更值得关注的是，长江存储正调整产能配置方向，计划将新厂约半数产能转向DRAM领域，由此开启NAND与DRAM双轨并进的发展路径，进一步夯实中国存储产业链的完整性与协同性。

对于中国存储厂商加速崛起及其对全球格局带来的深远影响，业内分析指出，当前全球内存供给持续处于紧平衡状态，客观上为新兴制造力量提供了关键成长窗口。叠加国内政策层面的系统性支持，越来越多终端客户正主动拓展多元化供应渠道。这一趋势不仅为本土头部厂商注入强劲增长动能，也将持续推动全球存储器市场向更加多元、更具韧性的方向演进。

作者：拿铁不加冰