SK海力士2026H2重启大连二厂扩建工程，未来将生产238层NAND闪存芯片

过去这段时间里，随着市场对NAND闪存需求量激增，制造商在经历了短暂的停滞后，开始逐步恢复相关扩产计划。SK海力士已宣布耗资约500亿美元，在韩国兴建新的NAND闪存生产线。与此同时，SK海力士也开始推进中国工厂的建设项目。

据TrendForce报道，SK海力士打算2026年下半年重启大连二厂的扩建工程，开始安装生产设备，并分阶段完成设施建设，直到2027年上半年。SK海力士的合作伙伴已开始将韩国闲置的设备运往大连，而海外的供应商已经受到设备交付的初步采购订单。

过去由于美国的限制措施，加上NAND闪存行情长期处于低迷状态，SK海力士选择暂停大连二厂的扩建工程。未来大连二厂将能生产238层NAND闪存，月产能目标为3万至5万片晶圆。与此同时，大连一厂也将切换生产线，更换老旧设备，生产192层NAND闪存。虽然SK海力士在韩国大张旗鼓地进行投资，但是有报告称，大连二厂才是SK海力士扩建速度最快的NAND闪存生产基地。

除了NAND闪存外，近期SK海力士也在扩建其在中国的DRAM生产设施，正逐步提升无锡工厂的产能。

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