IBM宣布携手泛林合作推动亚1nm制程工艺开发

IBM宣布，与泛林集团（Lam Research）达成了一项为期五年的战略合作协议。基于双方长期合作的成功记录，新协议将聚焦新材料、先进蚀刻/沉积工艺、High-NA EUV光刻工艺，推动实现“亚1纳米（Sub-1nm）”制程工艺的开发。

IBM与泛林集团之间有着十多年的合作经验，推动了制程工艺技术的发展，特别是7nm、纳米片和极紫外光刻（EUV）工艺的早期技术。随着半导体行业进入3D微缩的新时代，需要重新思考如何将材料、工艺和光刻技术整合为一个单一的高密度系统，以推动下一阶段的进步。

根据这次达成的新协议，双方会将工作重点放在新型材料开发、适用于复杂器件架构的先进蚀刻/沉积工艺、运用新的High-NA EUV光刻技术，整合IBM位于纽约奥尔巴尼园区的研发能力与泛林集团端到端的工艺工具及创新技术，以实现下一代互连和器件图案化，加速行业采用，更好地应对半导体行业的下一轮挑战。

“亚1纳米”制程工艺被认为是半导体行业超越2nm制程节点后，下一代半导体制造工艺技术的极限。其节点数值小于10埃米（1nm/纳米=10A/埃米），硅材料的物理特性面临严峻挑战，短沟道效应将变得更加明显。