三星正在重新规划HBM产能：或将部分HBM3E转换为普通DRAM满足市场需求

最近DRAM供应短缺引起了多个行业的关注，对于普通消费者而言，受到的影响可能是最大的。过去几周里，内存价格飙升到几乎“负担不起”的程度，而且这种情况不仅仅限于2025年末这段时间，大概率会贯穿整个2026年，可能要到2027年下半年才有所缓解。原因除了制造商控制产量外，还将重心放在了高利润的HBM产品上，普通DRAM显然处于次要的位置。

据TECHPOWERUP报道，三星的HBM产品线正在从HBM3和HBM3E过渡到HBM4，这不仅仅是升级，而且是一次产能重新分配的过程。三星内部讨论的重点是，将目前约30%到40%的1αnm（第四代10nm级别）DRAM工艺转换为用于通用DRAM的1bnm（第五代10nm级别）DRAM工艺生产线，包括了DDR5、LPDDR5X、LPDDR6和GDDR7内存产品。

三星和SK海力士类似，之前为了更高的利润率，将注意力放在HBM产品，不过现在三星内部评估显示，12层堆叠HBM3E芯片的营业利润约为30%，而通用DRAM的最近预期已超过60%。除了利润的差异外，最大客户对12层堆叠HBM3E芯片增量需求有限，以及平均售价大幅下滑的预期，都削弱了三星扩大HBM3E产能的动力。

随着DRAM需求创历史新高，对于三星来说只是多赚和少赚的区别，所有的产能都会被吸收。超大规模数据中心除了需要HBM外，像DDR5这样的标准DRAM来也有很高的需求。由于转换产能和制造需要几个月的时间，供应链暂时不会有那么快的变化。

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