三星展示首款搭载Heat Path Block散热技术的HBM5实体模型

三星在Computex 2026上展示了其首款HBM5内存的实体模型，这款第八代AI内存与一种名为 Heat Path Block（热路径模块，简称HPB）的新型封装内散热结构的搭配方案。

（图片来源：Future）

SK海力士在上周也公布了自家的iHBM散热设计方案，这意味着两家公司如今都将目光聚焦于连接内存与处理器的裸片间接口中的同一散热瓶颈。三星还确认，HBM5的基板裸片将采用其自研的2nm工艺制造，相较HBM4和HBM4E所使用的4nm节点有所升级。

据三星在Computex上的介绍，HPB技术并非让热量通过核心裸片向外散逸，而是构建了一组独立的热传导柱，将热量从堆叠内部抽出，并传导至位于封装上方或侧方的散热片。该设计聚焦于D2D PHY层，即HBM基板裸片与GPU之间的高速链路；随着堆叠高度增加、运行速度提升，该处的功率密度和温度呈指数级增长。

三星表示，其已在HBM4E上完成HPB技术的实现与验证——这一代产品正是三星于上月开始出货首批12层样品的规格，数据传输速率为14 Gbps，并将扩展至16 Gbps，每堆叠带宽可达3.6 TB/s。

三星同时经营内存业务和逻辑晶圆代工业务，这使其能够在内部自主生产HBM5堆叠及其下方的2nm裸片。据韩国媒体报道，三星设备解决方案部门总裁兼首席技术官Song Jai-hyuk在Computex表示：“AI系统正变得更加强大且高度集成，这使得热管理、数据处理效率和封装稳定性变得与内存性能本身同等重要。”并表示，公司将继续通过与包括英伟达在内的合作伙伴开展合作，增强其下一代内存的竞争力。

（图片来源：Future）

去年，韩国科学技术院发布的一份路线图预测，HBM5将达到4096位接口宽度，每堆叠带宽约为4 TB/s，每堆叠功耗约100瓦。这一热负荷在很大程度上解释了为何两家韩国内存厂商选择在此时便重新设计其封装方案，而非等到产品发布时才着手应对。

SK海力士通过另一种路径应对了同样的问题。其iHBM设计将由不导电但导热性良好的硅材料制成的散热元件嵌入D2D PHY层，此举可将热阻较现有产品降低30%以上。

SK海力士选择在热点位置直接放置散热元件，而三星则构建了一条将热量从热点导出的路径。两种方案均计划于HBM5世代首次亮相，但两家公司均预计该技术在2028年之前不会进入大规模量产。