三星电子HBM3E工艺未通过英伟达认证，谷歌放弃合作

   近日，韩国科技巨头三星电子在高性能计算存储器领域遭遇重大挫折。据香港券商最新报告指出，三星电子在今年6月第三次未能通过英伟达12层HBM3E芯片的认证测试。作为全球领先的半导体制造商之一，三星此次未能达到国际顶尖AI芯片制造商英伟达的标准，导致其进入下一波人工智能（AI）工作负载高频宽存储器（HBM）供应的时间表进一步延迟。

   HBM（High BandwidthMemory）是专为高性能计算和AI应用设计的高速存储器解决方案。12层堆叠的HBM3E芯片被认为是当前市场上性能最强的存储器之一，广泛应用于英伟达等AI芯片制造商的最新GPU中。然而，三星电子在HBM领域遭遇了技术验证瓶颈。

   据知情人士透露，尽管三星提前提升了HBM3E的产量，但由于未通过英伟达认证，其供应计划不得不推迟。目前，三星正积极准备第四次认证尝试，预计将在今年9月进行新一轮测试。

   在三星遭遇技术困境的同时，其竞争对手美国美光科技（MicronTechnology）却传来好消息。美光利用韩美半导体的热压键合（TCB）设备，大幅提高了8层和12层HBM3E芯片的良率。其中，12层HBM3E芯片的良率达到70%，而8层HBM3E芯片的良率更是高达75%。

   此外，美光科技于6月12日宣布，已向主要客户交付其第六代HBM4样品，用于AI芯片开发。这使得美光成为继SK海力士之后，第二家交付HBM4样品的DRAM制造商。SK海力士已于今年3月开始交付HBM4样品。

   由于各大科技公司定制化AI芯片的量产延迟，瑞银近期调整了对HBM市场需求的预期。该公司目前预测，2023年全球HBM需求量将达到1630亿GB，低于先前预估的1890亿GB；并预计2026年HBM需求量将达2540亿GB，略低于之前预测的2610亿GB。

   值得注意的是，第一季度SK海力士受益于HBM3E芯片出货比例的提升，超越了三星电子，营收和市场份额首次单季排名行业第一。这意味着，尽管三星在DRAM领域仍具有强大的技术实力，但其在HBM市场的竞争力正面临严峻挑战。  

   面对激烈的市场竞争，各厂商都在积极寻求技术突破和市场机遇。随着AI应用的不断扩展，HBM作为关键组件的地位愈加重要。未来，谁能率先攻克技术和市场的双重难关，谁就将在这一领域占据领先地位。

   三星电子能否在接下来的认证中取得成功，以及美光和SK海力士的表现如何，值得持续关注。无论如何，这场围绕HBM3E技术的竞赛不仅关系到各家企业的发展前景，更将深刻影响全球AI芯片产业的格局。

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