存储这轮涨价，显存价格已经翻了三倍

存储芯片这波上涨，正在从一条传闻里的"可能"，变成摆在台面上的数字。几家信源交叉出来的图景相当一致，显卡显存、国产 HBM、先进制程、后端封装，四条线同时在收紧，最后都会落到一个结论上，短期内芯片不会便宜。

先看最直接的一条，GDDR6 价格已经翻了三倍。TrendForce 引用的数据是，GDDR6 从去年 10 月底的每 8Gb 约 2.80 美元，涨到了现在 8.40 美元左右，约合 60 元。翻倍的驱动力很具体，英伟达 9 月 3 日随《NBA 2K27》上线的 DLSS 5，成了显存需求的新点火器。这套 3D 引导的神经渲染，在 4K 下跑在旗舰 RTX 5090 上，光这一项就要额外吃约 731MB 的显存，还附带一点帧率折损。这直接把人往 16GB 及以上显存的卡上推，而显存成本本来就占显卡成本的大头，三星和 SK 海力士又都在升级 GDDR 规格去接 DLSS 5，涨价传导到终端，只是时间问题。

第二条线是国产存储的追赶，走得比预期艰难。长鑫在 HBM3E 上的良率，韩媒给出的数字只有 25%，四分之一合格。根子卡在 TSV 硅通孔技术上，长鑫每层只做约 3000 个 TSV，三星 HBM2 时代就有约 5000 个，SK 海力士 HBM3 超过 8000 个。前端制造良率约 30%，后端封装再打七折，乘下来就是 25%。它比三星、SK 海力士、美光落后了整整两代，人家已经在搞 HBM4E 送样了。但也不能就此判它出局，长鑫在平面 DRAM 上已经做到 90% 良率，只比三星在 10nm 级节点的 DDR5 低两三个点，HBM 堆叠是另一门手艺，需要时间补。值得注意的反而是那句老话，三星的 HBM4 良率今年 2 月约 60%，半年后就到 80%，追赶者是有样本可以参考的。

第三条线在先进制程。台积电台中科学园区二期的 1.4nm 工厂，进度比原计划提前了。P1 现在做楼板，预计 2027 年 4 月完工，最快 2027 下半年就能量产，比原先 2028 年的计划提前。P2、P3、P4 也都排到 2028 年收官，四座厂全部达产后，园区预估年产值 5000 亿新台币，官方还说不止。把对手放一起看，三星把自己的 1.4nm 从 2027 年推到了 2029 年，英特尔 14A 目标是 2028 年。台积电这一手，等于在最尖端的制程上又把身位拉开了。为了这张表，ASML、东京电子、KLA 都在台中的第七开发区设了据点，供应链跟着一起挪。

第四条线是后端封装的抢地盘。美光被曝是 JDI 停产的茂原工厂潜在买家之一，谈判价约 5000 亿韩元。这个厂原来做第六代 LCD 和 OLED，洁净室规格其实不符合半导体前段制造，但可以改建做数据中心或者后端封装，包括玻璃基板。对美光来说，它正在广岛投产新厂，1.5 万亿日元的投资，2028 年前后开始出尖端产品，前端产能涨起来之后，需要日本国内有地方承接封测环节，茂原这个既有工厂正好省下了建厂和跑审批的几年时间。