进步的动力！TSMC 3nm工艺详细介绍

台湾半导体制造公司（TSMC）展示了其最新的工艺技术进展，包括3nm和2nm节点。TSMC在演讲中公布了其在2nm工艺技术方面的进展，并为公司现有的3nm技术新增了新的合作伙伴，这将提供更广泛的工艺技术范围，能够满足更广泛的受众需求。其中包括N3P、N3X和N3AE。此外，该公司还讨论了其2nm目标和3DFabric进展。

N3P是强化版的3纳米工艺，相较于N3E，在相同漏电下，速度增快5%，在相同速度下，功耗降低5~10%，芯片密度增加4%。N3P适用于高效能、低功耗和高密度的产品，预计于2024年下半年量产。

N3X是为高效能运算应用量身打造的3纳米工艺，相较于N3P，在驱动电压1.2伏特下，速度增快5%，并拥有相同的芯片密度提升幅度。N3X着重于效能与最大时脉频率，支持高性能计算、人工智能、云端等领域，预计于2025年量产。

N3AE是为汽车应用设计的3纳米工艺，提供以N3E为基础的汽车制程设计套件，具备更强的可靠性和安全性。N3AE让客户能够提早采用3纳米技术来设计汽车产品，以便于2025年及时采用届时已全面通过汽车制程验证的N3A制程。

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