三星4nm产线全速运行：超过一半用于生产HBM4基础裸片

随着人工智能（AI）需求提升，三星的代工产线利用率不断爬升。其中4nm产线自去年末起，已经满负荷运转，而且很可能延续到2027年。一方面三星的HBM4开始量产，基础裸片（Base Die）采用了4nm工艺，加上选择相同制造技术的Groq LPU订单激增。为了减轻压力，三星甚至建议客户可以转用自家的5nm工艺，作为替代方案。

据Wccftech报道，由于HBM4的需求超过了供应，迫使三星不得不将更多的4nm产能分配过去。目前三星4nm产线正在全速运行，其中50%至60%产能用于生产HBM4的基础裸片。三星的4nm产线集中在韩国平泽工厂2号和3号园区，包括S5和S6两条生产线，月产能为3万片晶圆，这意味着HBM4占用了至少1.5万片晶圆。

今年2月，三星宣布开始量产HBM4。其结合了4nm基础裸片，并搭配1cnm（第六代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，从量产初期就实现了稳定的良品率和行业领先性能，加上抢占了先机，使得的出货量快速上升，量产四个月后收入就已突破10亿美元。同时三星HBM4良品率已经从最初量产时的不到60%提升至接近80%，提前实现了最初设定在2026年末达到80%的良品率目标。

过去HBM的基础裸片都是使用DRAM工艺制造，但是从HBM4时代开始将转移到代工厂，改用逻辑芯片的工艺，以解决高性能计算中的热量、信号延迟和能效问题。特别是定制HBM的到来，其中将集成内存控制器等功能模块。三星已经选择了自家的代工厂生产基础裸片，而SK海力士和美光则选择与台积电（TSMC）合作。

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