三星抛出HBM三阶段“路线图”：降功耗带宽飙，将告别中介层？

三星抛出HBM三阶段路线图：从4nm裸片起步，经cHBM与AHBM功能扩展，最终实现zHBM垂直堆叠，将DRAM直放计算芯片之上，取消2.5D中介层。目标降功耗70%、带宽提升230%，HCB堆叠高度缩减15%、热阻降低20%，AI芯片底层架构正被重写，算力不再依赖传统通道。

文｜捉驿 • 栏目｜数字视线

数据洪流奔腾不息，计算芯片如孤岛矗立，中间隔着一道名为中介层的天堑。

三星正在填平这道沟壑，它要把DRAM直接叠在计算芯片身上，让记忆与逻辑融为一体。这场HBM路线图的三级跳，正在改写AI算力的底层规则。

这场三级跳背后，是三星在HBM赛道的紧迫追赶。

2026年第一季度，HBM市场格局已然分明：SK海力士以58%的市占率独占鳌头，三星与美光各占21%，三星的整体DRAM市占虽高达39%，但在HBM这一高利润细分领域明显落后。

瑞银预测，三星的HBM出货份额将从2025年的20%升至2026年的31%，到2027年有望达到40%，届时将首次反超SK海力士。

从“追赶者”到“定义者”，三星的zHBM路线图承载的不仅是技术野心，更是市场份额的翻盘希望。

通道终结之处，算力新生之时。

◆ 第一阶段：给中介层“腾空间”

你可能觉得HBM离你很远，但ChatGPT每次回答都靠它。

三星的第一步，是把HBM基础裸片的逻辑工艺从落后几代拉到与计算芯片同代。当前HBM4的基础裸片已采用4nm工艺，与台积电5nm和英特尔Intel 4站在同一梯队。

这种制程代差收窄，为Base Die从“被动中转”转向“主动参与”铺平了路基。

如果你还觉得HBM只是内存规格，那这篇文章可能会刷新你的认知，转发给搞AI的朋友，一起看看芯片底层正在发生什么。

◆ 第二阶段：给基础裸片“加功能”

看到“中介层”“混合键合”这些词，你是不是也觉得头大？别急，我们一层层拆。

第二阶段，三星推出cHBM和AHBM，在Base Die上集成更多主动电路，包括片上缓存、数据预取，甚至轻量级计算单元。Base Die不再只是数据的“过路站”，开始扮演“调度员”和“预处理员”的角色。

◆ 第三阶段：DRAM直接堆叠，告别中介层

最终站是zHBM。三星将DRAM裸片直接垂直堆叠在计算芯片（GPU/TPU）之上，取消2.5D中介层，用超高密度铜混合键合（HCB）实现每平方毫米数千个连接。zHBM宣称较HBM4E降功耗70%、带宽提升230%。

行文至此，兴起，赋诗一首：

硅基层叠破长空，数据穿云入九重。
中介一朝成旧路，算台直上紫霄峰。

■你可以把现在的HBM想象成一座跨江大桥，数据从芯片到内存要先过桥再回来。而zHBM直接把内存楼房盖在芯片旁边，上下楼就是串门，省掉了过桥的来回油费。■

支撑zHBM这一量级突破的底层技术是混合铜键合（HCB）。

三星研究团队首次通过量化数据证实，HCB在热管理上全面优于传统热压键合（TCB）：同等冷却条件下，HCB使堆栈高度缩减15%以上，热阻降低20%以上，热点结温显著更低。

这一组合优势，为16层以上的HBM4E量产铺平了道路。

在Hot Chips 2026大会上，三星DRAM设计团队技术领导韩相旭（Sangwook Han）提出一个关键判断：AI半导体的瓶颈已不再是运算能力，而是存储器结构。

他的原话是：“如果HBM基板可以打造成尖端逻辑工艺，为什么不像片上系统那样使用？”他的最终目标清晰而激进：消除2.5D中介层，直接垂直连接GPU和DRAM。

正如孟子所言：“尽信书，不如无书。”

当行业习惯将HBM架构奉为教条时，三星选择从Base Die的定位重新定义技术路径。

我读到“将Base Die从被动中转站变为主动伙伴”时，心里一动，这不仅是工艺升级，更是架构哲学的重构。

当Base Die从数据通道变为算力伙伴，HBM的进化史其实是一部“去中介化”的历史。

堆叠直上中介层，桥接上下还不够用。
混合键合是硬碰，热阻一降两姓。
三星放出豪言壮，七成功耗成旧账。
等待量产出货时，且看谁家称芯片王。

客官，看完这套“登月路线图”，你觉得zHBM三年内能见到真机吗？来评论区押个注。

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