重返内存业务？英特尔与国家实验室进行先进内存技术项目

美国速度来得及吗

由于DRAM已经成为AI半导体瓶颈的“核心钥匙”与“战略资产”，英特尔正在判断自主研发下一代DRAM的必要性。

韩国媒体Business Post报道，鉴于AI需求的不断激增，正在推高存储器行业英里能力，且有分析指出这一轮热潮将打破传统“硅周期”，业内普遍认为英特尔有望成为存储器市场的新竞争者。

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这一猜测并非无稽之谈，消息称半导体行业综合报道透露，英特尔正在加速推进CPU等系统级半导体之外的次世代DRAM研发， 积极拓展存储器半导体业务。

而于此同时，英特尔正在与美国桑迪亚国家实验室合作推进AMT（Advanced Memory Tech，先进存储技术）项目。该项目旨在解决内存瓶颈问题——尽管CPU和GPU性能飞速发展，但内存速度未能同步提升，导致整体系统性能首先。英特尔通过该项目还开发了”下一代DRAM键合（NGDB）”技术。

NGDB技术通过取消传统焊锡凸点，采用直接连接铜导线的混合键合方式，实现了高带宽内存（HBM）的速度优势与普通DRAM的大容量特性相结合。据悉英特尔与桑迪亚国家实验室近期已完成功能验证，确认该技术具备量产可行性。

英特尔政府技术部门首席技术官乔舒亚·弗莱曼表示：“标准内存无法满足人工智能的需求，NGDB提出全新解决方案，将加速未来十年内存半导体的发展。”

英特尔还与软银合资成立“Saimemory”公司，致力于开发替代HBM的“低功耗堆叠式DRAM”。

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Saimemory结合东京大学高速数据传输专利与英特尔堆叠技术，以实现比现有HBM降低50%功耗、削减40%制造成本为目标推进业务。该公司计划于2027年推出样品，2030年启动量产，优先供应日本境内的人工智能训练数据中心。

日本经济新闻近日报道称：“Saimemory将全面负责DRAM设计、知识产权(IP)管理与开发，生产则将采用外部委托方式进行”，并指出“日本政府也将对部分研发费用提供补助”。

实际上在上个世纪70年代，英特尔就已经以90%的全球DRAM市场称霸，在当时被誉为存储半导体之王。然而1984年因抵挡不住日本企业的低价攻势而退出DRAM业务，2020年更将NAND闪存事业部以90亿美元（约合10.3万亿韩元）出售给SK海力士，彻底退出存储器领域。

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消息称，英特尔目前正在后悔将NAND业务出售给海力士（。