国内厂商兆易创新明年量产自研 LPDDR4X 内存，LPDDR5X 小容量研发启动

国内 Fabless 存储芯片龙头兆易创新在今日举行的 2025 年第三季度业绩说明会上表示，公司明年将实现自研 LPDDR4X 系列产品量产，同时启动 LPDDR5X 小容量产品研发，标准 DDR5 产品暂不在规划之列。

财报显示，第三季度公司营业收入同比增长 31.4% 至 26.8 亿元人民币，归母净利润同比上涨 61.1% 至 5.08 亿元，环比增长 49%。毛利率环比提升 3.7 个百分点至 40.72%，主要受益于存储产品价格上涨。利基型 DRAM、NOR Flash 以及 2D SLC NAND 的供需改善均为盈利增长提供支撑。公司高管表示，利基型 DRAM 市场供不应求，涨价趋势在 2025 年第四季度及 2026 年第一季度有望延续，并在 2026 年下半年维持相对高位。NOR Flash 短期供需紧张导致温和涨价，而部分海外大厂经营重心调整也推高了 2D SLC NAND 价格。

在主要产品布局上，利基型 DRAM 今年收入增长明显，有望超越 MCU 成为公司第二大业务线；Flash 产品受益于存储周期改善持续涨价；MCU 业务保持稳定，模拟及传感业务与赛芯整合顺利推进。定制化存储解决方案项目也在陆续进入客户送样与小批量试产阶段，预计明年可在汽车座舱、AIPC 和机器人等领域实现量产。

此外，公司与长鑫科技合作多年，累计投资 23 亿元，为利基型 DRAM 产品提供稳定产能支持。兆易创新今年新量产的 DDR4 8Gb 已迅速抢占市场份额，第三季度销量已与 DDR4 4Gb 相当。展望明年，公司将继续把握 2D NAND 研发机会，但无 3D NAND 或 DDR5 产品计划。高管表示，随着 AI 基建推动算力需求增加，存储市场仍将保持供不应求态势，公司对未来两年市场前景持乐观态度。