美光砸 96 亿美元在日本广岛建 AI 内存“超级工厂”

据多家媒体援引知情人士报道，美国存储器巨头美光计划在日本西部广岛斥资 1.5 兆日元（约合 96 亿美元） 建设全新工厂，专门生产下一代高带宽内存（HBM）和先进 DRAM 芯片——这将是其自 2019 年以来首次在日本新建生产基地。

新厂选址在美光现有的广岛厂区，计划于 2026 年 5 月 开工建设，目标 在 2028 年左右 实现 HBM 芯片大规模出货。该厂将重点面向人工智能（AI）和高性能计算所需的 HBM，因其具备高容量 + 高带宽特性，是搭配 GPU／AI 加速器的理想存储方案。

这项扩产计划受到日本政府的大力支持。Ministry of Economy, Trade and Industry（经产省）预计将为该项目提供 最多 5000 亿日元（约合 32–33 亿美元）补贴。这也是日本近年来推动半导体产业“回流”、强化芯片供应链布局战略的一部分。

当前，HBM 被认为是 AI 芯片供应链中最紧缺的环节之一。长期以来，这类高端存储器的生产高度集中在台湾和韩国地区。对于 Micron 来说，在广岛建立专门生产 HBM 的工厂，不仅有助于减轻对台湾产能的依赖，也有望强化其在全球 HBM 市场的竞争力。

分析人士指出，在全球 AI、生成式 AI 和大规模数据中心需求持续爆发的背景下，Micron 的这次大规模投资，若按计划推进，将可能对现有由 SK Hynix、Samsung Electronics 等主导的 HBM 市场格局造成冲击。对日本而言，此举也象征其重回全球半导体供应链核心地位的野心。

不过，目前该报道仍来自匿名知情人士，且美光和日本经产省尚未公开确认该计划。若项目顺利推进，并按 2028 年实现量产，这将成为 AI 内存供给结构中的一大转折点。