英特尔首次展示ZAM内存原型设计：基于Z-Angle架构，功耗更低，容量更大

前一段时间英特尔宣布，与软银子公司SAIMEMORY合作，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术。英特尔和软银表示，双方将聚焦下一代DRAM技术，以支持人工智能（AI）和高性能计算（HPC）日益增长的需求。

据Wccftech报道，英特尔院士兼政府技术首席技术官Joshua Fryman与英特尔日本首席执行官大野诚（Makoto Onho）共同出席了Intel Connection Japan 2026活动。令人意想不到的是，英特尔刚刚确认与SAIMEMORY的合作，便展示了ZAM原型设计，并介绍了新款内存未来的发展方向。按照英特尔的说法，在ZAM项目中将承担“初始投资和战略决策”的职责。

ZAM的核心在于Z-Angle架构，有别于现有HBM硅通孔（TSV）的连接方式，其采用了交错互联拓扑结构，即在芯片堆叠内部以对角线方式进行连接，而非直接垂直钻孔。英特尔称，ZAM技术上相比现有解决方案最大的优势在于其热管理能力。如果将ZAM与HBM相比较，可能的提升包括：

功耗降低40%至50%

通过Z-Angle架构简化制造流程

每芯片存储容量更高（可达512GB）

从目前的情况来看，英特尔打算利用ZAM与HBM争夺市场。

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